Vad är skillnaden mellan MOSFET och IGBT? Olukey kommer att svara på dina frågor!

Som kopplingselement förekommer ofta MOSFET och IGBT i elektroniska kretsar. De är också lika i utseende och karakteristiska parametrar. Jag tror att många människor kommer att undra varför vissa kretsar behöver använda MOSFET, medan andra gör det. IGBT?

Vad är skillnaden mellan dem? Nästa,Olukeykommer att svara på dina frågor!

Vad är aMOSFET?

MOSFET, det fullständiga kinesiska namnet är metalloxid-halvledarfälteffekttransistor. Eftersom grinden för denna fälteffekttransistor är isolerad av ett isolerande skikt, kallas den också för en isolerad gate-fälteffekttransistor. MOSFET kan delas in i två typer: "N-typ" och "P-typ" enligt polariteten för dess "kanal" (arbetsbärare), vanligtvis även kallad N MOSFET och P MOSFET.

MOSFET själv har sin egen parasitiska diod, som används för att förhindra att MOSFET brinner ut när VDD är överspänning. För innan överspänningen orsakar skada på MOSFET:en bryter dioden omvänt först och riktar den stora strömmen till marken och förhindrar därigenom att MOSFET bränns ut.

Vad är IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) är en sammansatt halvledarenhet som består av en transistor och en MOSFET.

Kretssymbolerna för IGBT är inte förenade ännu. När man ritar det schematiska diagrammet lånas vanligtvis symbolerna för triod och MOSFET. Vid denna tidpunkt kan du bedöma om det är IGBT eller MOSFET från modellen markerad på det schematiska diagrammet.

Samtidigt bör du också vara uppmärksam på om IGBT har en kroppsdiod. Om det inte är markerat på bilden betyder det inte att det inte finns. Om inte de officiella uppgifterna specifikt anger något annat, finns denna diod. Kroppsdioden inuti IGBT är inte parasitisk, utan är speciellt inställd för att skydda IGBT:s ömtåliga mothållsspänning. Den kallas även FWD (frihjulsdiod).

Den interna strukturen hos de två är olika

De tre polerna hos MOSFET är source (S), drain (D) och gate (G).

De tre polerna hos IGBT är kollektor (C), emitter (E) och gate (G).

En IGBT konstrueras genom att lägga till ett ytterligare lager till avloppet på en MOSFET. Deras interna struktur är som följer:

Grundläggande struktur för MOSFET och IGBT

Användningsfälten för de två är olika

De interna strukturerna hos MOSFET och IGBT är olika, vilket bestämmer deras applikationsfält.

På grund av strukturen hos MOSFET kan den vanligtvis uppnå en stor ström, som kan nå KA, men förutsättningen för spänningsmotståndsförmågan är inte lika stark som IGBT. Dess huvudsakliga applikationsområden är switchande strömförsörjning, förkopplingsdon, högfrekvent induktionsuppvärmning, högfrekventa inverter-svetsmaskiner, kommunikationsströmförsörjning och andra högfrekventa strömförsörjningsfält.

IGBT kan producera mycket kraft, ström och spänning, men frekvensen är inte för hög. För närvarande kan den hårda växlingshastigheten för IGBT nå 100KHZ. IGBT används ofta i svetsmaskiner, växelriktare, frekvensomvandlare, elektroplätering av elektrolytiska strömförsörjningar, ultraljudsinduktionsuppvärmning och andra områden.

Huvuddragen hos MOSFET och IGBT

MOSFET har egenskaperna för hög ingångsimpedans, snabb omkopplingshastighet, bra termisk stabilitet, spänningskontrollström, etc. I kretsen kan den användas som förstärkare, elektronisk switch och andra ändamål.

Som en ny typ av elektronisk halvledarenhet har IGBT egenskaperna hög ingångsimpedans, låg spänningsstyrd strömförbrukning, enkel styrkrets, högspänningsresistans och stor strömtolerans, och har använts i stor utsträckning i olika elektroniska kretsar.

Den idealiska ekvivalenta kretsen för IGBT visas i figuren nedan. IGBT är faktiskt en kombination av MOSFET och transistor. MOSFET har nackdelen med högt motstånd, men IGBT övervinner denna brist. IGBT har fortfarande lågt på-motstånd vid hög spänning. .

Generellt sett är fördelen med MOSFET att den har goda högfrekvensegenskaper och kan arbeta vid en frekvens på hundratals kHz och upp till MHz. Nackdelen är att på-motståndet är stort och strömförbrukningen stor i högspännings- och högströmssituationer. IGBT presterar bra i situationer med låg frekvens och hög effekt, med litet på-motstånd och hög motståndsspänning.

Välj MOSFET eller IGBT

I kretsen är om man ska välja MOSFET som strömbrytarrör eller IGBT en fråga som ingenjörer ofta stöter på. Om faktorer som spänning, ström och kopplingseffekt för systemet beaktas, kan följande punkter sammanfattas:

Folk frågar ofta: "Är MOSFET eller IGBT bättre?" Det finns faktiskt ingen bra eller dålig skillnad mellan de två. Det viktigaste är att se dess faktiska tillämpning.

Om du fortfarande har frågor om skillnaden mellan MOSFET och IGBT kan du kontakta Olukey för mer information.

Olukey distribuerar huvudsakligen WINSOK mellan- och lågspännings-MOSFET-produkter. Produkter används i stor utsträckning inom militärindustrin, LED/LCD-drivkort, motordrivrutiner, snabbladdning, elektroniska cigaretter, LCD-skärmar, strömförsörjning, små hushållsapparater, medicinska produkter och Bluetooth-produkter. Elektroniska vågar, fordonselektronik, nätverksprodukter, hushållsapparater, kringutrustning och olika digitala produkter.