Vilka är orsakerna till MOSFET-uppvärmning av växelriktaren?

Växelriktarens MOSFET arbetar i ett omkopplingstillstånd och strömmen som flyter genom MOSFET är mycket hög. Om MOSFET inte är korrekt vald, drivspänningsamplituden inte är tillräckligt stor eller kretsens värmeavledning inte är bra, kan det få MOSFET att värmas upp.

1, inverter MOSFET uppvärmning är allvarlig, bör uppmärksammaMOSFETurval

MOSFET i växelriktaren i växlingsläge kräver generellt att dess dräneringsström är så stor som möjligt, på-resistans så liten som möjligt, så att du kan minska mättnadsspänningsfallet för MOSFET, och därigenom minska MOSFET sedan förbrukningen, minska värme.

Kontrollera MOSFET-manualen, vi kommer att upptäcka att ju högre motståndsspänningsvärde för MOSFET är, desto större är dess på-motstånd, och de med hög dräneringsström, lågt motståndsspänningsvärde för MOSFET, är dess på-motstånd i allmänhet under tiotals milliohm.

Om vi ​​antar att belastningsströmmen på 5A, väljer vi den vanligen använda växelriktaren MOSFETRU75N08R och tål spänningsvärde på 500V 840 kan vara, deras dräneringsström är i 5A eller mer, men på-motståndet för de två MOSFET:arna är olika, kör samma ström , deras värmeskillnad är mycket stor. 75N08R på-resistans är endast 0,008Ω, medan på-resistans på 840 På-resistans för 75N08R är endast 0,008Ω, medan på-resistans på 840 är 0,85Ω. När belastningsströmmen som flyter genom MOSFET är 5A, är spänningsfallet för 75N08R:s MOSFET endast 0,04V, och MOSFET-förbrukningen för MOSFET är endast 0,2W, medan spänningsfallet för 840:s MOSFET kan vara upp till 4,25W, och förbrukningen MOSFET är så hög som 21,25W. Av detta kan man se att på-motståndet för MOSFET skiljer sig från på-motståndet för 75N08R, och deras värmealstring är mycket annorlunda. Ju mindre på-motstånd hos MOSFET, desto bättre är på-motstånd hos MOSFET, MOSFET-röret under hög strömförbrukning är ganska stort.

2 är drivkretsen för drivspänningsamplituden inte tillräckligt stor

MOSFET är en spänningsstyrningsenhet, om du vill minska MOSFET-rörförbrukningen, minska värmen, bör MOSFET-gatedrivspänningsamplituden vara tillräckligt stor, driva pulskanten till brant, kan minskaMOSFETrörspänningsfall, minska MOSFET-rörförbrukningen.

3, MOSFET värmeavledning är inte bra orsak

Inverter MOSFET-uppvärmning är allvarlig. Eftersom växelriktarens MOSFET-rörförbrukning är stor, kräver arbetet i allmänhet en tillräckligt stor extern yta av kylflänsen, och den externa kylflänsen och själva MOSFET-enheten mellan kylflänsen bör vara i nära kontakt (krävs i allmänhet att vara belagd med termiskt ledande silikonfett), om den externa kylflänsen är mindre, eller om MOSFET själv inte är tillräckligt nära kontakten med kylflänsen, kan det leda till MOSFET-uppvärmning.

Inverter MOSFET uppvärmning allvarligt det finns fyra anledningar till sammanfattningen.

MOSFET lätt uppvärmning är ett normalt fenomen, men uppvärmningen är allvarlig och till och med leda till att MOSFET bränns, det finns följande fyra anledningar:

1, problemet med kretsdesign

Låt MOSFET arbeta i ett linjärt drifttillstånd, snarare än i omkopplingskretstillstånd. Det är också en av orsakerna till MOSFET-uppvärmning. Om N-MOS gör omkopplingen måste G-nivåspänningen vara några V högre än strömförsörjningen för att vara helt på, medan P-MOS är motsatsen. Inte helt öppen och spänningsfallet är för stort vilket resulterar i strömförbrukning, motsvarande DC-impedans är större, spänningsfallet ökar, så U * I ökar också, förlusten betyder värme. Detta är det mest undvikande felet i designen av kretsen.

2, för hög frekvens

Det främsta skälet är att ibland överdriven strävan efter volym, vilket resulterar i ökad frekvens,MOSFETförluster på den stora, så värmen ökar också.

3, inte tillräckligt termisk design

Om strömmen är för hög, kräver det nominella strömvärdet för MOSFET vanligtvis god värmeavledning för att uppnå. Så ID är mindre än den maximala strömmen, det kan också värmas upp dåligt, behöver tillräckligt med extra kylfläns.

4, MOSFET-valet är fel

Fel bedömning av effekt, MOSFET:s inre resistans beaktas inte fullt ut, vilket resulterar i ökad switchimpedans.