Vad är orsakerna till värme i MOSFET på en växelriktare?

VäxelriktarensMOSFETfungerar i ett omkopplingstillstånd och strömmen som flyter genom rören är mycket hög. Om röret inte är korrekt valt, drivspänningsamplituden inte är tillräckligt stor eller om kretsens värmeavledning inte är bra, kan det göra att MOSFET värms upp.

1, inverter MOSFET uppvärmning är allvarlig, bör vara uppmärksam på MOSFET val

MOSFET i växelriktaren i växlingsläge kräver i allmänhet sin dräneringsström så stor som möjligt, på-motstånd så liten som möjligt, vilket kan minska mättnadsspänningsfallet i röret, och därigenom minska röret sedan förbrukningen, minska värmen.

Kolla MOSFET-manualen, vi kommer att upptäcka att ju högre motståndsspänningsvärde för MOSFET är, desto större är dess på-motstånd, och de med hög dräneringsström och lågt motståndsspänningsvärde för röret, är dess på-motstånd i allmänhet under tiotals milliohm.

Om vi ​​antar en belastningsström på 5A väljer vi den vanligen använda växelriktaren MOSFET RU75N08R och spänningsmotståndsvärdet på 500V 840 kan vara, deras dräneringsström är i 5A eller mer, men på-motståndet för de två rören är olika, kör samma ström , deras värmeskillnad är mycket stor. 75N08R på-resistans är endast 0,008Ω, medan på-resistans för 840 är 0,85Ω, när belastningsströmmen som flyter genom röret är 5A, är 75N08R-rörspänningsfallet endast 0,04V, vid denna tidpunkt är MOSFET-rörförbrukningen endast 0,2W, medan 840-rörets spänningsfall kan vara upp till 4,25W, rörförbrukningen är så hög som 21,25W. Av detta kan man se, ju mindre på-resistans på växelriktarens MOSFET är desto bättre, på-motståndet på röret är stort, rörförbrukningen under hög ström. på-motståndet på växelriktarens MOSFET är lika litet som möjligt.

2 är drivkretsen för drivspänningsamplituden inte tillräckligt stor

MOSFET är en spänningskontrollanordning, om du vill minska rörförbrukningen, minska värme,MOSFETgate drive spänningsamplitud bör vara tillräckligt stor för att driva pulskanten att vara brant och rak, du kan minska rörets spänningsfall, minska rörförbrukningen.

3, MOSFET värmeavledning är inte bra orsak

InverterMOSFETuppvärmning är allvarligt. Eftersom växelriktarens MOSFET energiförbrukning är stor, kräver arbetet i allmänhet en tillräckligt stor yttre yta av kylflänsen, och den externa kylflänsen och själva MOSFET mellan kylflänsen bör vara i nära kontakt med (krävs vanligtvis att vara belagd med värmeledande silikonfett ), om den externa kylflänsen är mindre, eller kontakten med MOSFET:s egen kylfläns inte är tillräckligt nära, kan leda till rörvärme.

Inverter MOSFET uppvärmning allvarligt det finns fyra anledningar till sammanfattningen.

MOSFET lätt uppvärmning är ett normalt fenomen, men allvarlig uppvärmning, även leder till att röret bränns, det finns följande fyra anledningar:

1, problemet med kretsdesign

Låt MOSFET arbeta i ett linjärt drifttillstånd, snarare än i omkopplingskretstillstånd. Det är också en av orsakerna till MOSFET-uppvärmning. Om N-MOS gör omkopplingen måste G-nivåspänningen vara några V högre än strömförsörjningen för att vara helt på, medan P-MOS är motsatsen. Inte helt öppen och spänningsfallet är för stort vilket resulterar i strömförbrukning, motsvarande DC-impedans är större, spänningsfallet ökar, så U * I ökar också, förlusten betyder värme. Detta är det mest undvikande felet i designen av kretsen.

2, för hög frekvens

Den främsta anledningen är att ibland överdriven strävan efter volym, vilket resulterar i ökad frekvens, MOSFET förluster på stora, så värmen är också ökad.

3, inte tillräckligt termisk design

Om strömmen är för hög, kräver det nominella strömvärdet för MOSFET vanligtvis god värmeavledning för att uppnå. Så ID är mindre än den maximala strömmen, det kan också värmas upp dåligt, behöver tillräckligt med extra kylfläns.

4, MOSFET-valet är fel

Fel bedömning av effekt, MOSFET:s inre resistans beaktas inte fullt ut, vilket resulterar i ökad switchimpedans.