Detta är en förpackadMOSFETpyroelektrisk infraröd sensor. Den rektangulära ramen är avkänningsfönstret. G-stiftet är jordterminalen, D-stiftet är det interna MOSFET-avloppet och S-stiftet är den interna MOSFET-källan. I kretsen är G ansluten till jord, D är ansluten till den positiva strömförsörjningen, infraröda signaler matas in från fönstret och elektriska signaler matas ut från S.
Domport G
MOS-drivrutinen spelar huvudsakligen rollen som vågformsformning och drivförbättring: Om G-signalvågformen förMOSFETär inte tillräckligt brant, kommer det att orsaka en stor mängd strömförluster under växlingssteget. Dess bieffekt är att minska kretskonverteringseffektiviteten. MOSFET kommer att ha svår feber och lätt skadas av värme. Det finns en viss kapacitans mellan MOSFETGS. , om G-signalens drivförmåga är otillräcklig, kommer det att allvarligt påverka vågformens hopptid.
Kortslut GS-polen, välj R×1-nivån på multimetern, anslut den svarta testkabeln till S-polen och den röda testkabeln till D-polen. Motståndet bör vara några Ω till mer än tio Ω. Om det visar sig att motståndet för ett visst stift och dess två stift är oändligt, och det fortfarande är oändligt efter utbyte av testledningarna, bekräftas det att detta stift är G-polen, eftersom det är isolerat från de andra två stiften.
Bestäm källan S och dränera D
Ställ in multimetern på R×1k och mät resistansen mellan de tre stiften. Använd testledningsmetoden för att mäta motståndet två gånger. Den med ett lägre resistansvärde (vanligen några tusen Ω till mer än tio tusen Ω) är framresistansen. Vid denna tidpunkt är den svarta testkabeln S-polen och den röda testkabeln är ansluten till D-polen. På grund av olika testförhållanden är det uppmätta RDS(on)-värdet högre än det typiska värdet som anges i manualen.
OmMOSFET
Transistorn har N-typ kanal så den kallas N-kanalMOSFET, ellerNMOS. P-kanal MOS (PMOS) FET finns också, vilket är en PMOSFET som består av en lätt dopad N-typ BACKGATE och en P-typ source and drain.
Oavsett N-typ eller P-typ MOSFET, är dess arbetsprincip i huvudsak densamma. MOSFET styr strömmen vid utgångsterminalens dränering med spänningen som appliceras på gate på ingångsterminalen. MOSFET är en spänningsstyrd enhet. Den styr enhetens egenskaper genom spänningen som appliceras på grinden. Det orsakar inte laddningslagringseffekten som orsakas av basströmmen när en transistor används för omkoppling. Därför, när du byter applikation,MOSFETbör byta snabbare än transistorer.
FET har också fått sitt namn från det faktum att dess ingång (kallad gate) påverkar strömmen som flyter genom transistorn genom att projicera ett elektriskt fält på ett isolerande skikt. Faktum är att ingen ström flyter genom denna isolator, så GATE-strömmen i FET-röret är mycket liten.
Den vanligaste FET använder ett tunt lager av kiseldioxid som en isolator under GATE.
Denna typ av transistor kallas en metalloxidhalvledartransistor (MOS) eller metalloxidhalvledarfälteffekttransistor (MOSFET). Eftersom MOSFET:er är mindre och mer energieffektiva har de ersatt bipolära transistorer i många applikationer.
Posttid: 2023-nov-10
