Isoleringsskikts gate typ MOSFET aliasMOSFET (hädanefter kallad MOSFET), som har en kabelmantel av kiseldioxid i mitten av gate-spänningen och source drain.
MOSFET är ocksåN-kanal och P-kanal två kategorier, men varje kategori är uppdelad i förbättring och ljusförlust typ två, så det finns totalt fyra typer:N-kanals förbättring, P-kanalförbättring, N-kanals ljusutarmning, P-kanals ljusutarmning. Men där gate source-spänningen är noll, är dräneringsströmmen också noll för röret förstärkt rör. Emellertid, där gate source-spänningen är noll, är dräneringsströmmen inte noll, kategoriseras som ljusförbrukande rör.
Förbättrad MOSFET-princip:
När man arbetar i mitten av gate source inte använder spänningen, är mitten av dräneringskällans PN-övergång i motsatt riktning, så det kommer inte att finnas någon ledande kanal, även om mitten av dräneringskällan med en spänning, ledande dike el är stängd går det inte att ha en arbetsström enl. När mitten av grindkällan plus positiv riktningsspänning till ett visst värde, i mitten av avloppskällan kommer att producera en ledande säkerhetskanal, så att den ledande rännan som just produceras av denna grindkällas spänning kallas öppenspänningen VGS, större mitten av grindkällans spänning, är den ledande diket bredare, vilket i sin tur gör genom ju större flödet av elektricitet.
Principen för ljusavledande MOSFET:
Under drift används ingen spänning i mitten av gate source, till skillnad från förbättringstypen MOSFET, och en ledande kanal finns i mitten av drain source, så endast en positiv spänning läggs till mitten av drain source, vilket resulterar i ett avloppsströmflöde. Dessutom, grindkällan i mitten av den positiva riktningen av spänningen, den ledande kanalexpansionen, lägg till den motsatta riktningen av spänningen, den ledande kanalen krymper, genom flödet av elektricitet kommer att bli mindre, med förbättringen av MOSFET-jämförelse, det kan också vara i det positiva och negativa numret av ett visst antal regioner inom den ledande kanalen.
MOSFET-effekt:
För det första används MOSFETs för att förstora. Eftersom ingångsresistansen hos MOSFET-förstärkaren är mycket hög, så kan filterkondensatorn vara mindre, utan att behöva använda elektrolytiska kondensatorer.
För det andra är MOSFET mycket hög ingångsresistans särskilt lämplig för den karakteristiska impedansomvandlingen. Används vanligtvis i flernivåförstärkares ingångssteg för karakteristisk impedanskonvertering.
MOSFET kan användas som justerbart motstånd.
För det fjärde kan MOSFET vara praktiskt som en likströmskälla.
V. MOSFET kan användas som ett kopplingselement.
Posttid: 2024-jul-23
