Det finns två huvudsakliga lösningar:
En är att använda ett dedikerat drivkrets för att driva MOSFET, eller användning av snabba fotokopplare, transistorer utgör en krets för att driva MOSFET, men den första typen av tillvägagångssätt kräver tillhandahållande av en oberoende strömförsörjning; den andra typen av pulstransformator för att driva MOSFET, och i pulsdrivkretsen, hur man kan förbättra växlingsfrekvensen för drivkretsen för att öka drivkapaciteten, så långt som möjligt, för att minska antalet komponenter, är det akuta behovet att lösaaktuella problem.
Den första typen av drivsystem, halvbrygga, kräver två oberoende strömförsörjningar; helbrygga kräver tre oberoende strömförsörjningar, både halvbrygga och helbryggor, för många komponenter som inte bidrar till kostnadsminskning.
Den andra typen av körprogram, och patentet är den närmast kända tekniken för uppfinningsnamnet "en högeffektMOSFET drivkrets" patent (ansökningsnummer 200720309534. 8), patentet lägger bara till ett urladdningsmotstånd för att frigöra grindkällan för högeffekts MOSFET-laddning, för att uppnå syftet med att stänga av, är den fallande kanten på PWM-signalen stor. PWM-signalens fallande kant är stor, vilket kommer att leda till långsam avstängning av MOSFET, strömförlusten är mycket stor;
Dessutom är patentprogrammet MOSFET-arbete känsligt för störningar, och PWM-kontrollchippet måste ha en stor uteffekt, vilket gör att chiptemperaturen är hög, vilket påverkar chipets livslängd. Uppfinningens innehåll Syftet med denna bruksmodell är att tillhandahålla en MOSFET-drivkrets med hög effekt, arbeta mer stabil och noll för att uppnå syftet med denna tekniska lösning för denna bruksmodell enligt uppfinningen - en MOSFET-drivkrets med hög effekt, utsignalen från PWM-kontrollkretsen är ansluten till den primära pulstransformatorn första utgång oom den sekundära pulstransformatorn är ansluten till den första MOSFET-grinden, den andra utgången på den sekundära pulstransformatorn är ansluten till den första MOSFET-grinden, den andra utgången på den sekundära pulstransformatorn är ansluten till den första MOSFET-grinden. Den första utgången på pulstransformatorns sekundär är ansluten till grinden på den första MOSFET, den andra utgången på pulstransformatorns sekundär är ansluten till grinden på den andra MOSFET, kännetecknad av att den första utgången på pulstransformatorns sekundär också är ansluten till den första urladdningstransistorn, och den andra utgången på pulstransformatorns sekundär är också ansluten till den andra urladdningstransistorn. Den primära sidan av pulstransformatorn är också ansluten till en energilagrings- och frigöringskrets.
Energilagringsutlösningskretsen inkluderar ett motstånd, en kondensator och en diod, motståndet och kondensatorn är parallellkopplade och den tidigare nämnda parallellkretsen är ansluten i serie med dioden. Bruksmodellen har en fördelaktig effekt Bruksmodellen har också en första urladdningstransistor ansluten till den första utgången på transformatorns sekundär, och en andra urladdningstransistor ansluten till den andra utgången på pulstransistorn, så att när pulstransformatorn matar ut en låg nivå, kan den första MOSFET och den andra MOSFET snabbt laddas ur för att förbättra avstängningshastigheten för MOSFET och för att minska MOSFET-förlusten. Signalen från PWM-kontrollchippet är kopplad till signalförstärknings-MOSFET mellan den primära utgången och pulsen transformator primär, som kan användas för signalförstärkning. Signalutgången från PWM-kontrollchippet och den primära pulstransformatorn är anslutna till en MOSFET för signalförstärkning, vilket ytterligare kan förbättra PWM-signalens drivförmåga.
Den primära pulstransformatorn är också ansluten till en energilagringsutlösningskrets, när PWM-signalen är på en låg nivå frigör energilagringsutlösningskretsen den lagrade energin i pulstransformatorn när PWM är på en hög nivå, vilket säkerställer att grinden källan för den första MOSFET och den andra MOSFET är extremt låg, vilket spelar en roll för att förhindra interferens.
I en specifik implementering är en lågeffekts MOSFET Q1 för signalförstärkning ansluten mellan signalutgångsterminalen A på PWM-kontrollchippet och primären på pulstransformatorn Tl, den första utgångsterminalen på pulstransformatorns sekundära terminal är ansluten till grinden för den första MOSFET Q4 via dioden D1 och drivmotståndet Rl, den andra utgångsterminalen på sekundären hos pulstransformatorn är ansluten till grinden på den andra MOSFET Q5 via dioden D2 och drivmotståndet R2, och första utgångsklämman på sekundären hos pulstransformatorn är också ansluten till den första draintrioden Q2, och den andra draintrioden Q3 är också ansluten till den andra draintrioden Q3. MOSFET Q5, pulstransformatorns första utgångsterminal är också ansluten till en första kollektortransistor Q2, och den andra utgångsterminalen på pulstransformatorns sekundär är också ansluten till en andra kollektortransistor Q3.
Grinden för den första MOSFET Q4 är ansluten till ett kollektormotstånd R3, och grinden för den andra MOSFET Q5 är ansluten till ett kollektormotstånd R4. pulstransformatorns Tl primär är också ansluten till en energilagrings- och frigöringskrets, och energilagrings- och frigöringskretsen inkluderar ett motstånd R5, en kondensator Cl och en diod D3, och motståndet R5 och kondensatorn Cl är anslutna i parallell, och den tidigare nämnda parallellkretsen är kopplad i serie med dioden D3. PWM-signalen som utmatas från PWM-kontrollchippet är ansluten till lågeffekt MOSFET Q2, och lågeffekt MOSFET Q2 är ansluten till sekundären av pulstransformatorn. förstärks av lågeffekt MOSFET Ql och matas ut till primären hos pulstransformatorn Tl. När PWM-signalen är hög utmatar den första utgångsterminalen och den andra utgångsterminalen på sekundären av pulstransformatorn Tl högnivåsignaler för att driva den första MOSFET Q4 och den andra MOSFET Q5 att leda.
När PWM-signalen är låg, leder den första utgången och den andra utgången från pulstransformatorn Tl sekundära utgångssignaler på låg nivå, den första kollektortransistorn Q2 och den andra kollektortransistorn Q3, den första MOSFETQ4-grindkällkapacitansen genom kollektormotståndet R3, den första kollektortransistorn Q2 för urladdning, den andra MOSFETQ5-gate source-kapacitansen genom drain-motståndet R4, den andra drain-transistorn Q3 för urladdning, den andra MOSFETQ5-gate source-kapacitansen genom drain-motståndet R4, den andra drain-transistorn Q3 för urladdning, den andra MOSFETQ5 gate source kapacitans genom drainmotståndet R4, den andra draintransistorn Q3 för urladdning. Den andra MOSFETQ5-grindkällkapacitansen laddas ur genom kollektormotståndet R4 och den andra kollektortransistorn Q3, så att den första MOSFET Q4 och den andra MOSFET Q5 kan stängas av snabbare och effektförlusten kan minskas.
När PWM-signalen är låg frigör den lagrade energiutlösningskretsen som består av motstånd R5, kondensator Cl och diod D3 den lagrade energin i pulstransformatorn när PWM är hög, vilket säkerställer att grindkällan för den första MOSFET Q4 och den andra MOSFET Q5 är extremt låg, vilket tjänar syftet att motverka störningar. Diod Dl och diod D2 leder utströmmen enkelriktat, vilket säkerställer kvaliteten på PWM-vågformen, och samtidigt spelar den också rollen som anti-interferens i viss utsträckning.
Posttid: Aug-02-2024
