Metall-oxid-halvledarstrukturen hos kristalltransistorn allmänt känd somMOSFET, där MOSFET:er är uppdelade i P-typ MOSFET och N-typ MOSFET. De integrerade kretsarna som består av MOSFET kallas också MOSFET integrerade kretsar, och de närbesläktade MOSFET integrerade kretsarna som består av PMOSFETs ochNMOSFETs kallas CMOSFET integrerade kretsar.
En MOSFET som består av ett substrat av p-typ och två n-spridningsområden med höga koncentrationsvärden kallas en n-kanalMOSFEToch den ledande kanalen orsakad av en ledande kanal av n-typ orsakas av n-spridningsvägarna i de två n-spridningsvägarna med höga koncentrationsvärden när röret leder. n-kanals förtjockade MOSFET:er har n-kanalen orsakad av en ledande kanal när en positiv riktningsförspänning höjs så mycket som möjligt vid grinden och endast när grindkällans drift kräver en arbetsspänning som överstiger tröskelspänningen. n-kanals utarmning MOSFET är de som inte är redo för grindspänningen (gate source-drift kräver en driftspänning på noll). En n-kanals ljusutarmnings-MOSFET är en n-kanals MOSFET i vilken den ledande kanalen orsakas när grindspänningen (driftsspänningen för grindkällans driftkrav är noll) inte är förberedd.
NMOSFET integrerade kretsar är N-kanals MOSFET strömförsörjningskrets, NMOSFET integrerade kretsar, ingångsresistansen är mycket hög, de allra flesta behöver inte smälta absorptionen av effektflöde, och därmed CMOSFET och NMOSFET integrerade kretsar anslutna utan att behöva ta in i ta hänsyn till belastningen av strömflödet.NMOSFET integrerade kretsar, den stora majoriteten av valet av en enda grupp positiv switchande strömförsörjningskrets strömförsörjningskretsar Majoriteten av NMOSFET integrerade kretsar använder en enda positiv switchande strömförsörjningskrets strömförsörjningskrets, och för att 9V för mer. CMOSFET-integrerade kretsar behöver bara använda samma strömförsörjningskrets för switchande strömförsörjningskrets som NMOSFET-integrerade kretsar, kan anslutas till NMOSFET-integrerade kretsar omedelbart. Men från NMOSFET till CMOSFET omedelbart ansluten, eftersom NMOSFET:s utdragningsresistans är mindre än CMOSFET:s integrerade kretsnycklade pull-up resistans, så försök att applicera ett potentialdifferens pull-up motstånd R, värdet på motståndet R är vanligtvis 2 till 100KΩ.
Konstruktion av N-kanals förtjockade MOSFET:er
På ett kiselsubstrat av P-typ med ett lågt dopningskoncentrationsvärde görs två N-områden med ett högt dopningskoncentrationsvärde, och två elektroder dras ut av aluminiummetall för att fungera som avloppet d respektive källan s.
Sedan maskerar halvledarkomponentens yta ett mycket tunt lager av kiseldioxidisoleringsrör, i drain-source-isoleringsröret mellan avloppet och källan för en annan aluminiumelektrod, som gate g.
I substratet leder också ut en elektrod B, som består av en N-kanal tjock MOSFET. MOSFET-källa och substrat är vanligtvis sammankopplade, den stora majoriteten av röret i fabriken har länge varit anslutet till det, dess gate och andra elektroder är isolerade mellan höljet.
Posttid: 26 maj 2024
