Fälteffekttransistor förkortas somMOSFET.Det finns två huvudtyper: kopplingsfälteffektrör och metalloxidhalvledarfälteffektrör. MOSFET är också känd som en unipolär transistor med en majoritet av bärare involverade i konduktiviteten. De är spänningsstyrda halvledarenheter. På grund av dess höga ingångsresistans, låga brus, låga strömförbrukning och andra egenskaper, gör den till en stark konkurrent till bipolära transistorer och effekttransistorer.
I. Huvudparametrar för MOSFET
1, DC-parametrar
Mättnadsdrainström kan definieras som den drainström som motsvarar när spänningen mellan gate och source är lika med noll och spänningen mellan drain och source är större än pinch-off spänningen.
Pinch-off voltage UP: UGS som krävs för att reducera ID till en liten ström när UDS är säker;
Startspänning UT: UGS krävs för att få ID till ett visst värde när UDS är säker.
2、AC-parametrar
Lågfrekvent transkonduktans gm : Beskriver styreffekten av gate- och källspänning på dräneringsström.
Interpolig kapacitans: kapacitansen mellan de tre elektroderna på MOSFET, ju mindre värde, desto bättre prestanda.
3、Gränsparametrar
Dränering, källa genombrottsspänning: när dräneringsströmmen stiger kraftigt, kommer den att producera lavinbrytning när UDS.
Gate genombrott spänning: korsning fält effekt rör normal drift, grind och källa mellan PN-övergången i omvänd bias tillstånd, strömmen är för stor för att producera sammanbrott.
II. Egenskaper förMOSFETs
MOSFET har en förstärkningsfunktion och kan bilda en förstärkt krets. Jämfört med en triod har den följande egenskaper.
(1) MOSFET är en spänningsstyrd anordning och potentialen styrs av UGS;
(2) Strömmen vid MOSFET:ns ingång är extremt liten, så dess ingångsresistans är mycket hög;
(3) Dess temperaturstabilitet är god eftersom den använder majoritetsbärare för konduktivitet;
(4) Spänningsförstärkningskoefficienten för dess förstärkningskrets är mindre än för en triod;
(5) Det är mer resistent mot strålning.
Tredje,MOSFET och transistorjämförelse
(1) MOSFET-källa, gate, drain och triodkälla, bas, börvärdespol motsvarar rollen som liknande.
(2) MOSFET är en spänningsstyrd strömenhet, förstärkningskoefficienten är liten, förstärkningsförmågan är dålig; triode är en strömstyrd spänningsenhet, förstärkningsförmågan är stark.
(3) MOSFET-grind tar i princip inte ström; och triodarbete, kommer basen att absorbera en viss ström. Därför är MOSFET-grindens ingångsresistans högre än triodingångsresistansen.
(4) Den ledande processen av MOSFET har deltagande av polytron, och trioden har deltagande av två typer av bärare, polytron och oligotron, och dess koncentration av oligotron påverkas kraftigt av temperatur, strålning och andra faktorer, därför MOSFET har bättre temperaturstabilitet och strålningsmotstånd än transistor. MOSFET bör väljas när miljöförhållandena förändras mycket.
(5) När MOSFET är ansluten till källmetallen och substratet kan source och drain bytas ut och egenskaperna ändras inte mycket, medan när transistorns kollektor och emitter byts ut är egenskaperna olika och β-värdet reduceras.
(6) Brussiffran för MOSFET är liten.
(7) MOSFET och triod kan bestå av en mängd olika förstärkarkretsar och kopplingskretsar, men den förstnämnda förbrukar mindre ström, hög termisk stabilitet, brett utbud av matningsspänning, så det används ofta i storskaliga och ultrastora kretsar. skala integrerade kretsar.
(8) Triodens på-motstånd är stort, och på-motståndet för MOSFET är litet, så MOSFETs används vanligtvis som switchar med högre effektivitet.
Posttid: 16 maj 2024
