MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) anses ofta vara helt kontrollerade enheter. Detta beror på att MOSFET:s drifttillstånd (på eller av) är helt styrt av gate-spänningen (Vgs) och inte beror på basströmmen som i fallet med en bipolär transistor (BJT).
I en MOSFET bestämmer grindspänningen Vgs huruvida en ledande kanal bildas mellan source och drain, såväl som bredden och konduktiviteten hos den ledande kanalen. När Vgs överskrider tröskelspänningen Vt, bildas den ledande kanalen och MOSFET:n går in i på-tillståndet; när Vgs faller under Vt försvinner den ledande kanalen och MOSFET är i avstängt tillstånd. Denna styrning är helt kontrollerad eftersom grindspänningen oberoende och exakt kan styra drifttillståndet för MOSFET utan att förlita sig på andra ström- eller spänningsparametrar.
Däremot påverkas drifttillståndet för halvstyrda enheter (t.ex. tyristorer) inte bara av styrspänningen eller strömmen, utan också av andra faktorer (t.ex. anodspänning, ström, etc.). Som ett resultat erbjuder helt kontrollerade enheter (t.ex. MOSFETs) vanligtvis bättre prestanda när det gäller kontrollnoggrannhet och flexibilitet.
Sammanfattningsvis är MOSFET:er helt kontrollerade enheter vars drifttillstånd helt styrs av gate-spänningen och har fördelarna med hög precision, hög flexibilitet och låg strömförbrukning.
Posttid: 2024-09-20
