Nuförtiden, med den snabba utvecklingen av vetenskap och teknik, används halvledare i fler och fler industrier, därMOSFET anses också vara en mycket vanlig halvledarenhet, nästa steg är att förstå vad som är skillnaden mellan egenskaperna hos den bipolära effektkristalltransistorn och uteffekten MOSFET.
1, arbetssättet
MOSFET är det arbete som krävs för att främja driftspänningen, kretsscheman förklara relativt enkelt, främja kraften i små; effekt kristall transistor är ett kraftflöde för att främja programmets design är mer komplex, för att främja specifikationen av valet av svårt att främja specifikationen kommer att äventyra strömförsörjningen totala omkopplingshastighet.
2, den totala omkopplingshastigheten för strömförsörjningen
MOSFET påverkas av temperaturen är liten, kan strömförsörjningen byta uteffekt se till att mer än 150KHz; Power Crystal transistor har en mycket få gratis laddning lagringstid begränsa sin strömförsörjning växlingshastighet, men dess uteffekt är i allmänhet inte mer än 50KHz.
3、 Säkert arbetsområde
Power MOSFET har ingen sekundär grund och det säkra arbetsområdet är brett; kraftkristalltransistorn har en sekundär bassituation, vilket begränsar det säkra arbetsområdet.
4、 Arbetsspänning för elektrisk ledare
DrivaMOSFET hör till högspänningstypen, arbetsspänningen för ledningsarbete är högre, det finns en positiv temperaturkoefficient; kraftkristalltransistor oavsett hur mycket pengar som är resistenta mot arbetsspänningen, är arbetsspänningen för den elektriska ledaren lägre och har en negativ temperaturkoefficient.
5, det maximala effektflödet
Power MOSFET i switchande strömförsörjningskrets strömförsörjningskrets strömförsörjningskrets som en strömförsörjningsströmbrytare, i drift och stabilt arbete i mitten, är det maximala effektflödet lägre; och effektkristalltransistor i drift och stabilt arbete i mitten är det maximala effektflödet högre.
6, Produktkostnad
Kostnaden för ström-MOSFET är något högre; kostnaden för power crystal triode är något lägre.
7、Penetrationseffekt
Power MOSFET har ingen penetrationseffekt; kraftkristalltransistor har penetreringseffekt.
8、Växlingsförlust
MOSFET-omkopplingsförlusten är inte stor; effektkristalltransistorns omkopplingsförlust är relativt stor.
Dessutom, den stora majoriteten av makt MOSFET integrerad stötdämpande diod, medan den bipolära kraftkristalltransistorn nästan ingen integrerad stötdämpande diod.MOSFET stötdämpande diod kan också vara en universell magnet för att byta strömförsörjningskretsar magnetspolar för att ge effektfaktorn vinkel av kraftflödessäkerhetskanalen. Fälteffekt rör i den stötdämpande dioden i hela processen att stänga av med den allmänna dioden som förekomsten av omvänd återhämtning strömflöde, vid denna tidpunkt dioden å ena sidan för att ta upp avloppet - källpolen positiva mitten av en betydande ökning av arbetskraven för driftspänningen, å andra sidan, och det omvända återvinningsströmflödet.
Posttid: 24 maj 2024
