I strömbrytaren och andra designprogram för strömförsörjningssystem kommer programdesigners att ägna mer uppmärksamhet åt ett antal viktiga parametrar iMOSFET, såsom on-off resistor, större driftspänning, större effektflöde. Även om detta element ärkritisk, med hänsyn till den felaktiga platsen kommer att göra att strömförsörjningskretsen inte kan fungera korrekt, men i själva verket är detta bara slutfört det första steget,MOSFET:erna egna parasitparametrar anses vara det viktiga för att äventyra strömförsörjningskretsen.
Omedelbar körning av MOSFET:er med strömförsörjnings-IC:er
En bra MOSFET-drivkrets har följande bestämmelser:
(1) I samma ögonblick som omkopplaren aktiveras, bör drivkretsen kunna mata ut en mycket stor ström, så att MOSFET gate-source interpolarbetsspänningen snabbt stiger till det önskade värdet, för att säkerställa att omkopplaren kan vridas på snabbt och det blir inga högfrekventa svängningar på den stigande kanten.
(2) strömbrytare på och av period, kan drivkretsen säkerställa att MOSFET gate source inter-pol driftspänning bibehålls under lång tid, och effektiv ledning.
(3) Stäng ett ögonblick av drivkretsen, kan tillhandahålla en lågimpedanskanal för MOSFET-grindkällans driftsspänning mellan den snabba dräneringen, för att säkerställa att omkopplaren snabbt kan stängas av.
(4) Enkel och pålitlig konstruktion av drivkretsar med lågt slitage.
(5) Enligt den specifika situationen för att utföra skydd.
I styrmodulens strömförsörjning är det vanligaste att strömförsörjningen IC direkt driver MOSFET. tillämpning, bör vara uppmärksam på den större enheten det högsta värdet av kraftflödet, MOSFET distribution kapacitans 2 huvudparametrar. Power IC-drivenhetskapacitet, MOS-distributionskapacitansstorlek, drivmotståndsresistansvärde kommer att äventyra MOSFET-effektomkopplingshastigheten. Om valet av MOSFET-distributionskapacitans är relativt stort, räcker inte strömförsörjningens IC interna drivkapacitet, måste vara i drivkretsen för att förbättra drivkapaciteten, applicera ofta totempolströmförsörjningskretsen för att förbättra strömförsörjningens IC-drivkapacitet .
Posttid: 2024-jul-25
