MOSFET-detektionsflöde MOSFET-enheter, som en av de mest grundläggande enheterna inom halvledarområdet, används ofta i olika produktdesigner och kretsar på kortnivå. Speciellt inom området högeffektshalvledare spelar MOSFETs av olika strukturer en oersättlig roll. Naturligtvis den höga utnyttjandegraden avMOSFETs har lett till några mindre problem. Ett av MOSFET-läckageproblemen, olika platser har olika lösningar, så vi har organiserat några effektiva felsökningsmetoder för din referens.
För detektering av MOSFET skiljer de fyra viktiga aspekterna:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppling, förstärkning. Om det är en motståndsvärde, men inte upptäckt, MOSFETs villkor, de viktigaste undersökningarna kan vi tolka följande process för att genomföra:
1, länkporten och bron från motståndet bort, multimetern färdades en svart penna kommer inte att ändras, när du rör den läckage motståndet med mätarens bar leds tillbaka till en hög motståndskraft för enindig, och är denMOSFET lekka; kommer inte att ändras är inget problem;
2, kommer en överföringslinje till MOSFET-porten och bron med varandra kopplad, och den digitala multimetern kommer omedelbart tillbaka till en ingång, och MOSFET är inget problem;
3, de red pennan till de bron van de MOSFET S, den svarta pennan till de avvoer från de MOSFET, en bra meter stick markering måste ingen stora arm;
4, med en motståndsvagn 100KΩ-200KΩ kopplad till porten och avloppet, och sedan körde pennan till bron från MOSFET S, den svarta pennan till avloppet från MOSFET, när mätarens värdemarkering är över det allmänna kommer 0 att vara, när det ögonblick är under den positiva elkraften på grundval av detta motstånd till MOSFET-portens batteriladdning, vilket resulterar i det elektriska fältet vid porten, som följd av det elektriska fältet. passera, så att den digitala multimetern mätare pool bias, bias hur större ansiktsvinkeln, hur högre det laddas och uppladda egenskaper.
Posttid: 25 maj 2024
