MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) har tre poler som är:
Gate:G, grinden för en MOSFET är ekvivalent med basen av en bipolär transistor och används för att styra ledning och avstängning av MOSFET. I MOSFETs bestämmer grindspänningen (Vgs) om en ledande kanal bildas mellan source och drain, såväl som den ledande kanalens bredd och ledningsförmåga. Porten är gjord av material som metall, polykisel etc. och är omgiven av ett isolerande skikt (oftast kiseldioxid) för att förhindra ström från att flöda direkt in i eller ut ur grinden.
Källa:S, källan till en MOSFET är ekvivalent med emittern för en bipolär transistor och är där strömmen flyter. I N-kanals MOSFET:er är källan vanligtvis ansluten till strömförsörjningens minuspol (eller jord), medan i P-kanals MOSFET:er är källan ansluten till strömförsörjningens positiva pol. Källan är en av nyckeldelarna som bildar den ledande kanalen, som skickar elektroner (N-kanal) eller hål (P-kanal) till avloppet när gate-spänningen är tillräckligt hög.
Dränera:D, drain av en MOSFET är ekvivalent med kollektorn för en bipolär transistor och är där strömmen flyter in. Drain är vanligtvis ansluten till lasten och fungerar som en strömutgång i kretsen. I en MOSFET är drain den andra änden av den ledande kanalen, och när grindspänningen styr bildandet av en ledande kanal mellan source och drain, kan ström flyta från source genom den ledande kanalen till drain.
I ett nötskal, gate av en MOSFET används för att styra på och av, källan är där strömmen rinner ut och avloppet är där strömmen flödar in. Tillsammans bestämmer dessa tre poler drifttillståndet och prestanda för MOSFET .
Posttid: 2024-09-26
