I. Definition av MOSFET
Som en spänningsdriven, högströmsenhet, MOSFET har ett stort antal tillämpningar i kretsar, speciellt kraftsystem. MOSFET-kroppsdioder, även kända som parasitdioder, finns inte i litografin hos integrerade kretsar, utan finns i separata MOSFET-enheter, som ger omvänt skydd och strömförsörjning när de drivs av höga strömmar och när induktiva belastningar är närvarande.
På grund av närvaron av denna diod kan MOSFET-enheten inte helt enkelt ses växla i en krets, som i en laddningskrets där laddningen är klar, strömmen tas bort och batteriet vänder utåt, vilket vanligtvis är ett oönskat resultat.
Den allmänna lösningen är att lägga till en diod på baksidan för att förhindra omvänd strömförsörjning, men diodens egenskaper avgör behovet av ett framåtspänningsfall på 0,6~1V, vilket resulterar i en allvarlig värmegenerering vid höga strömmar samtidigt som det orsakar slöseri. energi och minska den totala energieffektiviteten. En annan metod är att lägga till en rygg mot rygg MOSFET, genom att utnyttja MOSFET:s låga på-motstånd för att uppnå energieffektivitet.
Det bör noteras att efter ledning är MOSFET:s icke-riktade, så efter trycksatt ledning är den likvärdig med en tråd, endast resistiv, inget spänningsfall i tillståndet, vanligtvis mättat på-motstånd för några milliohm tilllägligt milliohm, och icke-riktad, vilket tillåter likström och växelström att passera.
II. Kännetecken för MOSFET:er
1, MOSFET är en spänningsstyrd enhet, inget framdrivningssteg behövs för att driva höga strömmar;
2、Högt ingångsmotstånd;
3, brett driftfrekvensområde, hög växlingshastighet, låg förlust
4, AC bekväm hög impedans, lågt brus.
5,Multipel parallell användning, öka utströmmen
För det andra, användningen av MOSFETs i processen med försiktighetsåtgärder
1, för att säkerställa säker användning av MOSFET, i linjedesignen, bör inte överskrida rörledningens effektförlust, maximal läckspänning, grindkällans spänning och ström och andra parametergränsvärden.
2, olika typer av MOSFETs som används, måstevara strikt inne i enlighet med den erforderliga förspänningsåtkomsten till kretsen, för att överensstämma med polariteten för MOSFET-offset.
3. När du installerar MOSFET, var uppmärksam på installationspositionen för att undvika nära värmeelementet. För att förhindra vibrationer av beslagen måste skalet dras åt; böjning av stiftledningarna bör utföras vid större än rotstorleken på 5 mm för att förhindra att stiftet böjs av och läcker.
4, på grund av den extremt höga ingångsimpedansen måste MOSFET-enheter kortslutas ur stiftet under transport och lagring, och förpackas med metallskärmning för att förhindra externt inducerat potentialnedbrytning av grinden.
5. Grindspänningen för kopplings-MOSFET-enheter kan inte vändas och kan lagras i ett öppet kretstillstånd, men ingångsresistansen för MOSFET-enheter med isolerad grind är mycket hög när de inte används, så varje elektrod måste kortslutas. När du löder MOSFET:er med isolerad grind, följ ordningen för source-drain-gate och löd med strömmen avstängd.
För att säkerställa säker användning av MOSFET:er måste du förstå egenskaperna hos MOSFET:er och de försiktighetsåtgärder som ska vidtas vid användningen av processen, jag hoppas att ovanstående sammanfattning kommer att hjälpa dig.
Posttid: 15 maj 2024
