Litiumbatteriladdning är lätt att skada, WINSOK MOSFET hjälper dig!

Posttid: 28 juli 2024

Litium som en ny typ av miljövänliga batterier, har länge använts successivt i batteribilar. Okänd på grund av egenskaperna hos litiumjärnfosfat uppladdningsbara batterier, i användning måste dess batteriladdningsprocess för att utföra underhåll för att förhindra överladdning förlust av ström eller övertemperatur för att säkerställa att det uppladdningsbara batteriets säkerhet fungerar. Överströmsskydd är dock en polarisering av hela processen med laddning och urladdning av extrema arbetsstandarder, så hur väljer man MOSFET-modellspecifikationer och designprogram som är lämpliga för drivkretsen?

Litiumbatteriladdning är lätt att skada, WINSOK MOSFET hjälper dig!

Specifikt arbete, baserat på olika applikationer, kommer att tillämpa flera effekt-MOSFETs som arbetar parallellt för att minska på-motståndet och förbättra de termiska konduktivitetsegenskaperna. All normal drift, manipulera datasignalen för att manipulera MOSFET på, litiumbatteripaketets terminaler P och P-utgångsspänning för operativa tillämpningar. Vid denna tidpunkt har ström-MOSFET-enheten befunnit sig i ledningssituationen, strömförlusten är endast ledningsförlust, ingen effektomkopplingsförlust, den totala strömförlusten för ström-MOSFET är inte hög, temperaturökningen är liten, så ström-MOSFET kan arbeta säkert.

Litiumbatteriladdning är lätt att skada, WINSOK MOSFET hjälper dig!(1)

Däremot när load genererar ett kortslutningsfel, kortslutningskapaciteten ökar plötsligt från flera tiotals ampere för normal drift till flera hundra ampere eftersom kretsresistansen inte är stor och det uppladdningsbara batteriet har en stark laddningskapacitet, och effektenMOSFET är mycket lätta att förstöras i ett sådant fall. Välj därför om möjligt en MOSFET med en liten RDS (ON), så att färreMOSFET kan användas parallellt. Flera MOSFETs parallellt är känsliga för strömobalans. Separata och identiska tryckmotstånd krävs för parallella MOSFET:er för att undvika fluktuationer mellan MOSFET:er.