Grundläggande MOSFET-identifiering och testning

1. Identifiering av MOSFET-stift

Porten tillMOSFET är basen av transistorn, och drain och source är kollektorn och emittern förmotsvarande transistor. Multimetern till R × 1k växel, med två pennor för att mäta motståndet framåt och bakåt mellan de två stiften. När ett tvåstift framåtmotstånd = bakåtmotstånd = KΩ, det vill säga de två stiften för source S och drain D, är resten av stiftet grinden G. Om det är en 4-stiftkorsning MOSFET, den andra polen är användningen av jordad sköld.

Grundläggande MOSFET-identifiering och testning 拷贝

2.Bestäm porten　

Med den svarta pennan på multimetern för att röra MOSFET en slumpmässig elektrod, den röda pennan för att röra vid de andra två elektroderna. Om båda uppmätta motstånden är små, vilket indikerar att båda är positivt motstånd, tillhör röret N-kanals MOSFET, samma svarta pennkontakt är också grinden.

Produktionsprocessen har beslutat att avloppet och källan för MOSFET är symmetriska och kan bytas med varandra och kommer inte att påverka användningen av kretsen, kretsen är också normal vid denna tidpunkt, så det finns ingen anledning att gå till överdriven åtskillnad. Motståndet mellan avloppet och källan är cirka några tusen ohm. Kan inte använda denna metod för att bestämma grinden för den isolerade grinden typ MOSFET. Eftersom resistansen för ingången på denna MOSFET är extremt hög och den interpolära kapacitansen mellan grinden och källan är mycket liten, kan mätningen av så lite som en liten mängd laddning bildas ovanpå den interpolära kapacitansen för den extremt höga spänningen kommer MOSFET att vara mycket lätt att skada.

Grundläggande MOSFET-identifiering och testning(1)

3. Uppskattning av förstärkningsförmågan hos MOSFET:er

När multimetern är inställd på R × 100, använd den röda pennan för att ansluta källan S och använd den svarta pennan för att ansluta avloppet D, vilket är som att lägga till en 1,5V spänning till MOSFET. Vid denna tidpunkt indikerar nålen resistansvärdet mellan DS-polen. Vid denna tidpunkt med ett finger för att nypa grinden G, kroppens inducerade spänning som en insignal till grinden. På grund av MOSFET-förstärkningens roll kommer ID och UDS att förändras, vilket betyder att motståndet mellan DS-polen har förändrats, vi kan observera att nålen har en stor svängamplitud. Om handen nyper grinden är nålens svängning mycket liten, det vill säga MOSFET-förstärkningsförmågan är relativt svag; om nålen inte har den minsta verkan, vilket indikerar att MOSFET har skadats.