WST8205 Dual N-Channel 20V 5,8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WST8205 är en högpresterande trench N-Ch MOSFET med extremt hög celldensitet, som ger utmärkt RDSON- och grindladdning för de flesta små strömväxlings- och lastväxlingsapplikationer. WST8205 uppfyller RoHS- och gröna produktkrav med full funktionell tillförlitlighetsgodkännande.
Drag
Vår avancerade teknik innehåller innovativa funktioner som skiljer den här enheten från andra på marknaden. Med diken med hög celldensitet möjliggör denna teknik en större integrering av komponenter, vilket leder till förbättrad prestanda och effektivitet. En anmärkningsvärd fördel med den här enheten är dess extremt låga grindladdning. Som ett resultat kräver det minimalt med energi för att växla mellan på och av, vilket resulterar i minskad strömförbrukning och förbättrad total effektivitet. Denna låga grindladdningsegenskap gör den till ett idealiskt val för applikationer som kräver höghastighetsväxling och exakt kontroll. Dessutom utmärker sig vår enhet i att reducera Cdv/dt-effekter. Cdv/dt, eller förändringshastigheten för drain-to-source-spänning över tid, kan orsaka oönskade effekter som spänningsspikar och elektromagnetiska störningar. Genom att effektivt minimera dessa effekter säkerställer vår enhet tillförlitlig och stabil drift, även i krävande och dynamiska miljöer. Förutom sin tekniska skicklighet är den här enheten också miljövänlig. Den är designad med hållbarhet i åtanke, med hänsyn till faktorer som energieffektivitet och livslängd. Genom att arbeta med yttersta energieffektivitet minimerar den här enheten sitt koldioxidavtryck och bidrar till en grönare framtid. Sammanfattningsvis kombinerar vår enhet avancerad teknik med diken med hög celldensitet, extremt låg grindladdning och utmärkt reduktion av Cdv/dt-effekter. Med sin miljövänliga design, levererar den inte bara överlägsen prestanda och effektivitet utan är också i linje med det växande behovet av hållbara lösningar i dagens värld.
Ansökningar
High Frequency Point-of-Load Synchronous Small power switching för MB/NB/UMPC/VGA Networking DC-DC Power System, Bilelektronik, LED-lampor, ljud, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik, skyddskort.
motsvarande materialnummer
AOS AO6804A, NXP PMDT290UNE, PANJIT PJS6816, Sinopower SM2630DSC, dintek DTS5440, DTS8205, DTS5440, DTS8205, RU8205C6.
Viktiga parametrar
Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
VDS | Drain-Source Spänning | 20 | V |
VGS | Gate-Source Spänning | ±12 | V |
ID@Tc=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4.5V1 | 5.8 | A |
ID@Tc=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | A |
IDM | Pulserad dräneringsström2 | 16 | A |
PD@TA=25℃ | Total effektförlust3 | 2.1 | W |
TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=4,5V, ID=5,5A | --- | 24 | 28 | mΩ |
VGS=2,5V, ID=3,5A | --- | 30 | 45 | |||
VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,7 | 1.2 | V |
△VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -2,33 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=5A | --- | 25 | --- | S |
Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.5 | 3 | Ω |
Qg | Total grindladdning (4,5V) | VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.4 | 2.0 | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.2 | 3.2 | ||
Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=5A, RL=10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
Tr | Uppgångstid | --- | 34 | 63 | ||
Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 22 | 46 | ||
Tf | Hösttid | --- | 9,0 | 18.4 | ||
Ciss | Ingångskapacitans | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 625 | 889 | pF |
Coss | Utgångskapacitans | --- | 69 | 98 | ||
Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 61 | 88 |