WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WST4041 är en kraftfull P-kanal MOSFET designad för användning i synkrona buck-omvandlare. Den har en hög celldensitet som möjliggör utmärkt RDSON- och grindladdning. WST4041 uppfyller kraven för RoHS och Green Product-standarder, och den kommer med en 100 % EAS-garanti för tillförlitlig prestanda.
Drag
Advanced Trench Technology har hög celldensitet och superlåg grindladdning, vilket avsevärt minskar CdV/dt-effekten. Våra enheter kommer med 100 % EAS-garanti och miljövänliga alternativ.
Ansökningar
Högfrekvent punkt-of-load synkron buck-omvandlare, nätverkande DC-DC-kraftsystem, belastningsomkopplare, e-cigaretter, kontroller, digitala enheter, små hushållsapparater och hemelektronik.
motsvarande materialnummer
AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -6,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | -24 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 12 | mJ |
| IAS | Lavinström | -7 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 1.4 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,03 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=-10V, ID=-3A | --- | 30 | 40 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-1A | --- | 40 | 58 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,8 | -1.2 | -2.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 4,56 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-28V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=-5V, ID=-3A | --- | 15 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | --- | Ω |
| Qg | Total grindladdning (-4,5V) | VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.0 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 10 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 18 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 8 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 420 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 77 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 55 | --- |
