WST2088 N-kanal 20V 8,8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WST2088

BVDSS:20V

RDSON:8mΩ

ID:8,8A

Kanal:N-kanal

Paket:SOT-23-3L

Produkt sommar:Spänningen på WST2088 MOSFET är 20V, strömmen är 8,8A, resistansen är 8mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är SOT-23-3L.

Applikationer:Elektroniska cigaretter, kontroller, digitala enheter, små hushållsapparater och hemelektronik.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetaljer

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WST2088 MOSFET är de mest avancerade N-kanalstransistorerna på marknaden. De har en otroligt hög celltäthet, vilket resulterar i utmärkt RDSON och grindladdning. Dessa MOSFET:er är perfekta för små strömväxlings- och belastningsomkopplarapplikationer. De uppfyller RoHS- och Green Product-kraven och har testats fullständigt för tillförlitlighet.

Drag

Avancerad Trench-teknik med hög celldensitet, Super Low Gate Charge och utmärkt Cdv/dt-effektnedgång, vilket gör den till en grön enhet.

Ansökningar

Strömtillämpningar, kretsar med hård omkoppling och hög frekvens, oavbruten strömförsörjning, e-cigaretter, kontroller, elektroniska enheter, små hushållsapparater och hemelektronik.

motsvarande materialnummer

AO AO3416, DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214, etc.

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Gradering	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	20	V
VGS	Gate-Source Spänning	±12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4,5V	8.8	A
ID@Tc=70℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4,5V	6.2	A
IDP	Pulserad dräneringsström	40	A
PD@TA=25℃	Total effektförlust	1.5	W
TSTG	Förvaringstemperaturintervall	-55 till 150	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150	℃

Elektriska egenskaper (TJ=25 ℃, om inget annat anges)

Symbol	Parameter	Villkor	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=4,5V, ID=6A	---	8	13	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=2,5V, ID=5A	---	10	19	mΩ
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =250uA	0,5	---	1.3	V
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Total Gate Charge	VDS=15V, VGS=4,5V, ID=6A	---	16	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.5	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDS=10V, VGS=4,5V,RG=3,3Ω ID=1A	---	10	---	ns
Tr	Uppgångstid		---	13	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	28	---
Tf	Hösttid		---	7	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1400	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	170	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	135	---