WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

ID:3,8A/-4,5A

Kanal:N&P-kanal

Paket:SOT-23-6L

Produkt sommar:WST2078 MOSFET har spänningsklasser på 20V och -20V.Den klarar strömmar på 3,8A och -4,5A och har resistansvärden på 45mΩ och 65mΩ.MOSFET har både N&P Channel-kapacitet och kommer i ett SOT-23-6L-paket.

Applikationer:E-cigaretter, kontroller, digitala produkter, apparater och hemelektronik.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WST2078 är den bästa MOSFET för små strömbrytare och belastningstillämpningar.Den har en hög celldensitet som ger utmärkt RDSON och grindladdning.Den uppfyller RoHS- och Green Product-kraven och har godkänts för full funktionssäkerhet.

Funktioner

Avancerad teknologi med diken med hög celldensitet, extremt låg gateladdning och utmärkt reduktion av Cdv/dt-effekter.Denna enhet är också miljövänlig.

Ansökningar

Högfrekvent belastningspunkt synkron liten strömbrytare är perfekt för användning i MB/NB/UMPC/VGA, nätverk DC-DC kraftsystem, belastningsomkopplare, e-cigaretter, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater och konsumenter elektronik.

motsvarande materialnummer

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Betyg		Enheter
Symbol	Parameter	N-kanal	P-kanal	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	20	-20	V
VGS	Gate-Source Spänning	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4.5V1	3.8	-4,5	A
ID@Tc=70℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Pulserad dräneringsström2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Total effektförlust3	1.4	1.4	W
TSTG	Förvaringstemperatur	-55 till 150	-55 till 150	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150	-55 till 150	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=1mA	---	0,024	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=4,5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2,5V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1,8V, ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =250uA	0,5	0,7	1	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-2,51	---	mV/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Portmotstånd	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Total grindladdning (4,5V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	1.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	2.1	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Stigtid		---	13	23
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	15	28
Tf	Höst tid		---	3	5.5
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	51	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	52	---