WST2078 N&P-kanal 20V/-20V 3,8A/-4,5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WST2078 är den bästa MOSFET för små strömbrytare och belastningstillämpningar. Den har en hög celldensitet som ger utmärkt RDSON och grindladdning. Den uppfyller RoHS- och Green Product-kraven och har godkänts för full funktionssäkerhet.
Drag
Avancerad teknik med diken med hög celldensitet, extremt låg gateladdning och utmärkt reduktion av Cdv/dt-effekter. Denna enhet är också miljövänlig.
Ansökningar
Högfrekvent belastningspunkt synkron liten strömbrytare är perfekt för användning i MB/NB/UMPC/VGA, nätverk DC-DC kraftsystem, belastningsomkopplare, e-cigaretter, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater och konsumenter elektronik.
motsvarande materialnummer
AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | |
| N-kanal | P-kanal | |||
| VDS | Drain-Source Spänning | 20 | -20 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±12 | ±12 | V |
| ID@Tc=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | -4,5 | A |
| ID@Tc=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 4.5V1 | 2.8 | -2.6 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 20 | -13 | A |
| PD@TA=25℃ | Total effektförlust3 | 1.4 | 1.4 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,024 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=4,5V, ID=3A | --- | 45 | 55 | mΩ |
| VGS=2,5V, ID=1A | --- | 60 | 80 | |||
| VGS=1,8V, ID=1A | --- | 85 | 120 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,7 | 1 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -2,51 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±8V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=1A | --- | 8 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
| Qg | Total grindladdning (4,5V) | VDS=10V, VGS=10V, ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 2.1 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 13 | 23 | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 15 | 28 | ||
| Tf | Hösttid | --- | 3 | 5.5 | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 450 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 51 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 52 | --- |
Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss
