WST2011 Dual P-Channel -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WST2011 MOSFET är de mest avancerade P-ch transistorerna som finns tillgängliga, med oöverträffad celltäthet. De erbjuder exceptionell prestanda, med låg RDSON- och grindladdning, vilket gör dem idealiska för små strömbrytare och belastningsomkopplarapplikationer. Dessutom uppfyller WST2011 RoHS- och Green Product-standarder och har full funktionssäkerhetsgodkännande.
Drag
Avancerad Trench-teknik möjliggör högre celldensitet, vilket resulterar i en grön enhet med Super Low Gate Charge och utmärkt CdV/dt-effektminskning.
Ansökningar
Högfrekvent belastningspunktssynkron liten strömbrytare är lämplig för användning i MB/NB/UMPC/VGA, nätverkande DC-DC-kraftsystem, belastningsomkopplare, e-cigaretter, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater och hemelektronik .
motsvarande materialnummer
PÅ FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | |
| 10s | Steady State | |||
| VDS | Drain-Source Spänning | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -4,5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -4,5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Total effektförlust3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Total effektförlust3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ | |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,5 | -1,0 | -1,5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Total grindladdning (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=-15V , VGS=-4,5V , RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 9.3 | --- | ||
| Td(av) | Fördröjningstid för avstängning | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 95 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 68 | --- |
