WSR200N08 N-kanal 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WSR200N08

BVDSS:80V

RDSON:2,9 mΩ

ID:200A

Kanal:N-kanal

Paket:TO-220-3L

Produkt sommar:WSR200N08 MOSFET klarar upp till 80 volt och 200 ampere med ett motstånd på 2,9 milliohm.Det är en N-kanalsenhet och kommer i ett TO-220-3L-paket.

Applikationer:Elektroniska cigaretter, trådlösa laddare, motorer, batterihanteringssystem, reservkraftkällor, obemannade flygfordon, sjukvårdsutrustning, laddningsutrustning för elfordon, kontrollenheter, 3D-utskriftsmaskiner, elektroniska enheter, små hushållsapparater och hemelektronik.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSR200N08 är den N-Ch MOSFET med högsta prestanda och extremt hög celldensitet, som ger utmärkt RDSON- och grindladdning för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare.WSR200N08 uppfyller RoHS och gröna produktkrav, 100 % EAS garanterad med full funktionssäkerhet godkänd.

Funktioner

Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, Super Low Gate Charge, Utmärkt CdV/dt-effektminskning, 100 % EAS-garanterad, grön enhet tillgänglig.

Ansökningar

Växlingsapplikation, strömhantering för invertersystem, elektroniska cigaretter, trådlös laddning, motorer, BMS, nödströmförsörjning, drönare, medicin, billaddning, kontroller, 3D-skrivare, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik, etc.

motsvarande materialnummer

AO AOT480L, PÅ FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.

Viktiga parametrar

Elektriska egenskaper (TJ=25℃, om inget annat anges)

Symbol	Parameter	Betyg	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	80	V
VGS	Gate-Source Spänning	±25	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	144	A
IDM	Pulserad dräneringsström2,TC=25°C	790	A
EAS	Lavinenergi, Enkelpuls, L=0,5mH	1496	mJ
IAS	Lavinström, Enkelpuls, L=0,5mH	200	A
PD@TC=25℃	Total effektförlust4	345	W
PD@TC=100℃	Total effektförlust4	173	W
TSTG	Förvaringstemperatur	-55 till 175	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	175	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=10V,ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Portmotstånd	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	Total grindladdning (10V)	VDS=80V, VGS=10V, ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	31	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	75	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A	---	28	---	ns
Tr	Stigtid		---	18	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	42	---
Tf	Höst tid		---	54	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	8154	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	1029	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	650	---