WSP6067A N&P-kanal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WSP6067A

BVDSS:60V/-60V

RDSON:38mΩ/80mΩ

ID:7A/-5A

Kanal:N&P-kanal

Paket:SOP-8

Produkt sommar:WSP6067A MOSFET har ett spänningsområde på 60 volt positivt och negativt, ett strömområde på 7 ampere positivt och 5 ampere negativt, ett motståndsområde på 38 milliohm och 80 milliohm, en N&P-kanal, och är förpackad i SOP-8.

Applikationer:E-cigaretter, trådlösa laddare, motorer, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, digitala enheter, små apparater och elektronik för konsumenter.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSP6067A MOSFETs är de mest avancerade för trench P-ch-teknik, med en mycket hög densitet av celler.De levererar utmärkt prestanda när det gäller både RDSON och grindladdning, lämplig för de flesta synkrona buck-omvandlare.Dessa MOSFETs uppfyller RoHS- och gröna produktkriterier, med 100 % EAS som garanterar full funktionssäkerhet.

Funktioner

Avancerad teknologi möjliggör bildning av celldike med hög densitet, vilket resulterar i superlåg grindladdning och överlägsen CdV/dt-effektavklingning.Våra enheter kommer med 100 % EAS-garanti och är miljövänliga.

Ansökningar

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, drönare, medicinsk utrustning, billaddare, kontroller, elektroniska enheter, små hushållsapparater och hemelektronik .

motsvarande materialnummer

AOS

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Betyg		Enheter
Symbol	Parameter	N-kanal	P-kanal	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	60	-60	V
VGS	Gate-Source Spänning	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	7,0	-5,0	A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	4.0	-2,5	A
IDM	Pulserad dräneringsström2	28	-20	A
EAS	Enkelpuls lavinenergi3	22	28	mJ
IAS	Lavinström	21	-24	A
PD@TC=25℃	Total effektförlust4	2.0	2.0	W
TSTG	Förvaringstemperatur	-55 till 150	-55 till 150	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150	-55 till 150	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=10V, ID=5A	---	38	52	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=4,5V, ID=4A	---	55	75	mΩ
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =250uA	1	2	3	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,24	---	mV/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=5V, ID=4A	---	28	---	S
Rg	Portmotstånd	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.8	4.3	Ω
Qg	Total grindladdning (4,5V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A	---	19	25	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	2.6	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	4.1	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=30V , VGS=10V , RG=3,3Ω, ID=lA	---	3	---	ns
Tr	Stigtid		---	34	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	23	---
Tf	Höst tid		---	6	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1027	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	65	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	45	---