WSP6067A N&P-kanal 60V/-60V 7A/-5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSP6067A MOSFETs är de mest avancerade för trench P-ch-teknik, med en mycket hög densitet av celler. De levererar utmärkt prestanda när det gäller både RDSON och grindladdning, lämplig för de flesta synkrona buck-omvandlare. Dessa MOSFETs uppfyller RoHS- och gröna produktkriterier, med 100 % EAS som garanterar full funktionssäkerhet.
Drag
Avancerad teknologi möjliggör bildning av celldike med hög densitet, vilket resulterar i superlåg grindladdning och överlägsen CdV/dt-effektavklingning. Våra enheter kommer med 100 % EAS-garanti och är miljövänliga.
Ansökningar
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, drönare, medicinsk utrustning, billaddare, kontroller, elektroniska enheter, små hushållsapparater och hemelektronik .
motsvarande materialnummer
AOS
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | |
| N-kanal | P-kanal | |||
| VDS | Drain-Source Spänning | 60 | -60 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 | 7,0 | -5,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 | 4.0 | -2,5 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 28 | -20 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 22 | 28 | mJ |
| IAS | Lavinström | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 2.0 | 2.0 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
| Qg | Total grindladdning (4,5V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 2.6 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 4.1 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=30V , VGS=10V , RG=3,3Ω, ID=lA | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 34 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 23 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 65 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 45 | --- |
