WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13mΩ

ID:-11A

Kanal:P-kanal

Paket:SOP-8

Produkt sommar:Spänningen på WSP4447 MOSFET är -40V, strömmen är -11A, resistansen är 13mΩ, kanalen är P-kanal och paketet är SOP-8.

Applikationer:Elektroniska cigaretter, trådlösa laddare, motorer, drönare, medicinsk utrustning, billaddare, kontroller, digitala produkter, små apparater och hemelektronik.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSP4447 är en topppresterande MOSFET som använder trench-teknik och har en hög celldensitet.Den erbjuder utmärkt RDSON- och grindladdning, vilket gör den lämplig för användning i de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare.WSP4447 uppfyller RoHS- och Green Product-standarder och levereras med 100 % EAS-garanti för full tillförlitlighet.

Funktioner

Avancerad Trench-teknik möjliggör högre celldensitet, vilket resulterar i en grön enhet med Super Low Gate Charge och utmärkt CdV/dt-effektminskning.

Ansökningar

Högfrekvensomvandlare för en mängd olika elektronik
Denna omvandlare är designad för att effektivt driva ett brett utbud av enheter, inklusive bärbara datorer, spelkonsoler, nätverksutrustning, e-cigaretter, trådlösa laddare, motorer, drönare, medicinsk utrustning, billaddare, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater och konsumenter elektronik.

motsvarande materialnummer

AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Betyg	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	-40	V
VGS	Gate-Source Spänning	±20	V
ID@TA=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-9,0	A
IDM a	300 µs pulsad dräneringsström (VGS=-10V)	-44	A
EAS b	Lavinenergi, enkel puls (L=0,1mH)	54	mJ
IAS b	Lavinström, enkel puls (L=0,1mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Total effektförlust4	2.0	W
TSTG	Förvaringstemperatur	-55 till 150	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=-10V, ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2					mΩ
		VGS=-4,5V, ID=-5A	---	18	26
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =-250uA	-1.4	-1.9	-2.4	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström					uA
		VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Total grindladdning (-4,5V)	VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	5.2	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	8	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=-20V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Stigtid		---	12	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	41	---
Tf	Höst tid		---	22	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	235	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	180	---