WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSP4447 är en topppresterande MOSFET som använder trench-teknik och har en hög celldensitet. Den erbjuder utmärkt RDSON- och grindladdning, vilket gör den lämplig för användning i de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare. WSP4447 uppfyller RoHS- och Green Product-standarder och levereras med 100 % EAS-garanti för full tillförlitlighet.
Drag
Avancerad Trench-teknik möjliggör högre celldensitet, vilket resulterar i en grön enhet med Super Low Gate Charge och utmärkt CdV/dt-effektminskning.
Ansökningar
Högfrekvensomvandlare för en mängd olika elektronik
Denna omvandlare är designad för att effektivt driva ett brett utbud av enheter, inklusive bärbara datorer, spelkonsoler, nätverksutrustning, e-cigaretter, trådlösa laddare, motorer, drönare, medicinsk utrustning, billaddare, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater och konsumenter elektronik.
motsvarande materialnummer
AOS AO4425 AO4485,ON FDS4675,VISHAY Si4401FDY,ST STS10P4LLF6,TOSHIBA TPC8133,PANJIT PJL9421，Sinopower SM4403PSK，RUICHIPS RU40L10H.
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TA=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -9,0 | A |
| IDM a | 300 µs pulsad dräneringsström (VGS=-10V) | -44 | A |
| EAS b | Lavinenergi, enkel puls (L=0,1mH) | 54 | mJ |
| IAS b | Lavinström, enkel puls (L=0,1mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | Total effektförlust4 | 2.0 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =-250uA | -1.4 | -1.9 | -2.4 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Total grindladdning (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 8 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=-20V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 12 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 235 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 180 | --- |
