WSP4099 Dubbel P-kanal -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSP4099 är en kraftfull trench P-ch MOSFET med hög celldensitet.Den levererar utmärkt RDSON- och grindladdning, vilket gör den lämplig för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare.Den uppfyller RoHS- och GreenProduct-standarder och har 100 % EAS-garanti med full funktionssäkerhetsgodkännande.
Funktioner
Avancerad Trench-teknik med hög celldensitet, ultralåg gate-laddning, utmärkt CdV/dt-effektförfall och en 100 % EAS-garanti är alla funktioner hos våra gröna enheter som är lätt tillgängliga.
Ansökningar
Högfrekvent Point-of-Load Synchronous Buck Converter för MB/NB/UMPC/VGA, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, drönare, medicinsk vård, billaddare, kontroller, digitala produkter , små hushållsapparater och hemelektronik.
motsvarande materialnummer
PÅ FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Betyg | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | -40 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | -22 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 25 | mJ |
| IAS | Lavinström | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 2.0 | W |
| TSTG | Förvaringstemperatur | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Betingelser | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-4,5A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =-250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Total grindladdning (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3.5 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Stigtid | --- | 7 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Höst tid | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 72 | --- |
