WSP4099 Dubbel P-kanal -40V -6,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET Utvald bild

kort beskrivning:

Modellnummer:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30 mΩ

ID:-6,5A

Kanal:Dubbel P-kanal

Paket:SOP-8

Produkt sommar:WSP4099 MOSFET har en spänning på -40V, en ström på -6,5A, ett motstånd på 30mΩ, en Dual P-Channel, och kommer i ett SOP-8-paket.

Applikationer:Elektroniska cigaretter, trådlös laddning, motorer, drönare, medicin, billaddare, kontroller, digitala produkter, små apparater, hemelektronik.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetaljer

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSP4099 är en kraftfull trench P-ch MOSFET med hög celldensitet. Den levererar utmärkt RDSON- och grindladdning, vilket gör den lämplig för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare. Den uppfyller RoHS- och GreenProduct-standarder och har 100 % EAS-garanti med full funktionssäkerhetsgodkännande.

Drag

Avancerad Trench-teknik med hög celldensitet, ultralåg gate-laddning, utmärkt CdV/dt-effektförfall och en 100 % EAS-garanti är alla funktioner hos våra gröna enheter som är lättillgängliga.

Ansökningar

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter för MB/NB/UMPC/VGA, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, digitala produkter , små hushållsapparater och hemelektronik.

motsvarande materialnummer

PÅ FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Gradering	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	-40	V
VGS	Gate-Source Spänning	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, -VGS @ -10V1	-6,5	A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig dräneringsström, -VGS @ -10V1	-4,5	A
IDM	Pulserad dräneringsström2	-22	A
EAS	Enkelpuls lavinenergi3	25	mJ
IAS	Lavinström	-10	A
PD@TC=25℃	Total effektförlust4	2.0	W
TSTG	Förvaringstemperaturintervall	-55 till 150	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150	℃

Symbol	Parameter	Villkor	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,02	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=-10V, ID=-6,5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=-4,5V, ID=-4,5A	---	46	62	mΩ
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =-250uA	-1,5	-2,0	-2,5	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =-250uA	---	3,72	---	V/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Total grindladdning (-4,5V)	VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	2.4	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3.5	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=-15V , VGS=-10V , RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Uppgångstid		---	7	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	31	---
Tf	Hösttid		---	17	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	98	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	72	---