WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

produkter

WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:


  • Modellnummer:WSP4016
  • BVDSS:40V
  • RDSON:11,5 mΩ
  • ID:15,5A
  • Kanal:N-kanal
  • Paket:SOP-8
  • Produkt sommar:Spänningen för WSP4016 MOSFET är 40V, strömmen är 15,5A, resistansen är 11,5mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är SOP-8.
  • Applikationer:Bilelektronik, LED-lampor, ljud, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik, skyddskort, etc.
  • Produktdetaljer

    Ansökan

    Produkttaggar

    Allmän beskrivning

    WSP4016 är den N-ch MOSFET med högsta prestanda med extrem hög celldensitet, som ger utmärkta RDSON- och grindladdningar för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare. WSP4016 uppfyller RoHS och gröna produktkrav, 100 % EAS garanterad med full funktionstillförlitlighet godkänd.

    Drag

    Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, superlåg grindladdning, utmärkt minskning av CdV/dt-effekt, 100 % EAS-garanterad, grön enhet tillgänglig.

    Ansökningar

    Vita LED-boost-omvandlare, fordonssystem, industriella DC/DC-omvandlingskretsar, EAutomotive elektronik, LED-lampor, ljud, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik, skyddskort, etc.

    motsvarande materialnummer

    AO AOSP66406, PÅ FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
    DINTEK DTM5420.

    Viktiga parametrar

    Symbol Parameter Gradering Enheter
    VDS Drain-Source Spänning 40 V
    VGS Gate-Source Spänning ±20 V
    ID@TC=25℃ Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 15.5 A
    ID@TC=70℃ Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 8.4 A
    IDM Pulserad dräneringsström2 30 A
    PD@TA=25℃ Total effektförlust TA=25°C 2.08 W
    PD@TA=70℃ Total effektförlust TA=70°C 1.3 W
    TSTG Förvaringstemperaturintervall -55 till 150
    TJ Driftövergångstemperaturområde -55 till 150

    Elektriska egenskaper (TJ=25 ℃, om inget annat anges)

    Symbol Parameter Villkor Min. Typ. Max. Enhet
    BVDS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 40 --- --- V
    RDS(ON) Statisk avloppskälla på-motstånd2 VGS=10V, ID=7A --- 8.5 11.5
    VGS=4,5V, ID=5A --- 11 14.5
    VGS(th) Grindtröskelspänning VGS=VDS, ID =250uA 1.0 1.8 2.5 V
    IDSS Dräneringskälla Läckström VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 25
    IGSS Gate-Source Läckström VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Framåttranskonduktans VDS=5V, ID=15A --- 31 --- S
    Qg Total grindladdning (4,5V) VDS=20V, VGS=10V, ID=7A --- 20 30 nC
    Qgs Gate-Source Charge --- 3.9 ---
    Qgd Gate-Drain Charge --- 3 ---
    Td(på) Fördröjningstid för start VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. --- 12.6 --- ns
    Tr Uppgångstid --- 10 ---
    Td(av) Avstängningsfördröjning --- 23.6 ---
    Tf Hösttid --- 6 ---
    Ciss Ingångskapacitans VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz --- 1125 --- pF
    Coss Utgångskapacitans --- 132 ---
    Crss Omvänd överföringskapacitans --- 70 ---

    Obs:
    1.Pulstest: PW<= 300us arbetscykel<= 2 %.
    2. Garanterat genom design, inte föremål för produktionstestning.


  • Tidigare:
  • Nästa:

  • Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss