WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSP4016 är den N-ch MOSFET med högsta prestanda med extrem hög celldensitet, som ger utmärkta RDSON- och grindladdningar för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare. WSP4016 uppfyller RoHS och gröna produktkrav, 100 % EAS garanterad med full funktionstillförlitlighet godkänd.
Drag
Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, superlåg grindladdning, utmärkt minskning av CdV/dt-effekt, 100 % EAS-garanterad, grön enhet tillgänglig.
Ansökningar
Vita LED-boost-omvandlare, fordonssystem, industriella DC/DC-omvandlingskretsar, EAutomotive elektronik, LED-lampor, ljud, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik, skyddskort, etc.
motsvarande materialnummer
AO AOSP66406, PÅ FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Viktiga parametrar
Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
VDS | Drain-Source Spänning | 40 | V |
VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 | 15.5 | A |
ID@TC=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
IDM | Pulserad dräneringsström2 | 30 | A |
PD@TA=25℃ | Total effektförlust TA=25°C | 2.08 | W |
PD@TA=70℃ | Total effektförlust TA=70°C | 1.3 | W |
TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
Elektriska egenskaper (TJ=25 ℃, om inget annat anges)
Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
VGS=4,5V, ID=5A | --- | 11 | 14.5 | |||
VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
Qg | Total grindladdning (4,5V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.9 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3 | --- | ||
Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
Tr | Uppgångstid | --- | 10 | --- | ||
Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 23.6 | --- | ||
Tf | Hösttid | --- | 6 | --- | ||
Ciss | Ingångskapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
Coss | Utgångskapacitans | --- | 132 | --- | ||
Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 70 | --- |
Obs:
1.Pulstest: PW<= 300us arbetscykel<= 2 %.
2. Garanterat genom design, inte föremål för produktionstestning.