WSP4016 N-kanal 40V 15,5A SOP-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WSP4016

BVDSS:40V

RDSON:11,5 mΩ

ID:15,5A

Kanal:N-kanal

Paket:SOP-8

Produkt sommar:Spänningen för WSP4016 MOSFET är 40V, strömmen är 15,5A, resistansen är 11,5mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är SOP-8.

Applikationer:Bilelektronik, LED-lampor, ljud, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik, skyddskort, etc.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSP4016 är den N-ch MOSFET med högsta prestanda med extrem hög celldensitet, som ger utmärkta RDSON- och grindladdningar för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare.WSP4016 uppfyller RoHS och gröna produktkrav, 100 % EAS garanterad med full funktionstillförlitlighet godkänd.

Funktioner

Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, superlåg grindladdning, utmärkt minskning av CdV/dt-effekt, 100 % EAS-garanterad, grön enhet tillgänglig.

Ansökningar

Vita LED-boost-omvandlare, fordonssystem, industriella DC/DC-omvandlingskretsar, EAutomotive elektronik, LED-lampor, ljud, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik, skyddskort, etc.

motsvarande materialnummer

AO AOSP66406, PÅ FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Betyg	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	40	V
VGS	Gate-Source Spänning	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	15.5	A
ID@TC=70℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	8.4	A
IDM	Pulserad dräneringsström2	30	A
PD@TA=25℃	Total effektförlust TA=25°C	2.08	W
PD@TA=70℃	Total effektförlust TA=70°C	1.3	W
TSTG	Förvaringstemperatur	-55 till 150	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150	℃

Elektriska egenskaper (TJ=25 ℃, om inget annat anges)

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=10V, ID=7A	---	8.5	11.5	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=4,5V, ID=5A	---	11	14.5	mΩ
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =250uA	1.0	1.8	2.5	V
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	25	uA
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=5V, ID=15A	---	31	---	S
Qg	Total grindladdning (4,5V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=7A	---	20	30	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3.9	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	3	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω.	---	12.6	---	ns
Tr	Stigtid		---	10	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	23.6	---
Tf	Höst tid		---	6	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	1125	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	132	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	70	---