WSM340N10G N-kanal 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSM340N10G är den N-Ch MOSFET med högsta prestanda och extrem hög celldensitet, som ger utmärkt RDSON- och grindladdning för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare. WSM340N10G uppfyller RoHS och gröna produktkrav, 100 % EAS garanterad med full funktionssäkerhet godkänd.
Drag
Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, Super Low Gate Charge, Utmärkt CdV/dt-effektminskning, 100 % EAS-garanterad, Grön enhet tillgänglig.
Ansökningar
Synkron likriktning, DC/DC-omvandlare, lastbrytare, medicinsk utrustning, drönare, PD-strömförsörjning, LED-strömförsörjning, industriell utrustning, etc.
Viktiga parametrar
Absoluta högsta betyg
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 100 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | Lavinenergi, Enkelpuls, L=0,5mH | 1800 | mJ |
| IAS | Lavinström, Enkelpuls, L=0,5mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust | 375 | W |
| PD@TC=100℃ | Total effektförlust | 187 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 175 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | 175 | ℃ |
Elektriska egenskaper (TJ=25℃, om inget annat anges)
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd | VGS=10V,ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Total grindladdning (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 60 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A. | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 50 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 228 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 322 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 6160 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 220 | --- |
Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss
