WSM320N04G N-kanal 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSM320N04G är en högpresterande MOSFET som använder en grävdesign och har en mycket hög celldensitet. Den har utmärkt RDSON- och gate-laddning och är lämplig för de flesta synkrona buck-omvandlarapplikationer. WSM320N04G uppfyller RoHS- och gröna produktkrav och har garanterat 100 % EAS och full funktionssäkerhet.
Drag
Avancerad trench-teknologi med hög celldensitet, samtidigt som den har en låg grindladdning för optimal prestanda. Dessutom har den en utmärkt CdV/dt-effektminskning, en 100 % EAS-garanti och ett miljövänligt alternativ.
Ansökningar
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Nätverk DC-DC Power System, Power Tool Application, Elektroniska cigaretter, trådlös laddning, drönare, medicin, billaddning, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater och hemelektronik.
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | |
| VDS | Drain-Source Spänning | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 900 | A | |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 980 | mJ | |
| IAS | Lavinström | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 250 | W | |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 175 | ℃ | |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Total grindladdning (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 83 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 115 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 80 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 1200 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 800 | --- |
