WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6,8 mΩ

ID:-70A

Kanal:P-kanal

Paket:TO-252

Produkt sommar:WSF70P02 MOSFET har en spänning på -20V, en ström på -70A, en resistans på 6,8mΩ, en P-kanal och TO-252 förpackning.

Applikationer:E-cigaretter, trådlösa laddare, motorer, strömbackuper, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, elektronik, apparater och konsumentvaror.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSF70P02 MOSFET är den topppresterande P-kanals grävenheten med hög celldensitet.Den erbjuder enastående RDSON- och gate-laddning för de flesta synkrona buck-omvandlarapplikationer.Enheten uppfyller RoHS- och Green Product-kraven, är 100 % EAS-garanterad och har godkänts för full funktionssäkerhet.

Funktioner

Avancerad Trench-teknik med hög celldensitet, superlåg grindladdning, utmärkt reduktion av CdV/dt-effekt, 100 % EAS-garanti och alternativ för miljövänliga enheter.

Ansökningar

High Frequency Point-of-Load Synchronous, Buck Converter för MB/NB/UMPC/VGA, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, nödströmförsörjning, drönare, medicinsk vård, billaddare , kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik.

motsvarande materialnummer

AOS

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Betyg		Enheter
		10s	Stabilt läge
VDS	Drain-Source Spänning	-20		V
VGS	Gate-Source Spänning	±12		V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Pulserad dräneringsström2	-200		A
EAS	Enkelpuls lavinenergi3	360		mJ
IAS	Lavinström	-55,4		A
PD@TC=25℃	Total effektförlust4	80		W
TSTG	Förvaringstemperatur	-55 till 150		℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150		℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=-4,5V, ID=-15A	---	6.8	9,0	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient		---	2,94	---	mV/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Total grindladdning (-4,5V)	VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	9.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	13	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=-10V , VGS=-4,5V , RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Stigtid		---	77	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	195	---
Tf	Höst tid		---	186	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	520	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	445	---