WSF70P02 P-kanal -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSF70P02 MOSFET är den topppresterande P-kanals grävenheten med hög celldensitet. Den erbjuder enastående RDSON- och gate-laddning för de flesta synkrona buck-omvandlarapplikationer. Enheten uppfyller RoHS- och Green Product-kraven, är 100 % EAS-garanti och har godkänts för full funktionssäkerhet.
Drag
Avancerad Trench-teknik med hög celldensitet, superlåg grindladdning, utmärkt reduktion av CdV/dt-effekt, 100 % EAS-garanti och alternativ för miljövänliga enheter.
Ansökningar
Högfrekvent Point-of-Load Synchronous, Buck Converter för MB/NB/UMPC/VGA, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, nödströmförsörjning, drönare, medicinsk vård, billaddare , kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik.
motsvarande materialnummer
AOS
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | |
| 10s | Steady State | |||
| VDS | Drain-Source Spänning | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | -200 | A | |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 360 | mJ | |
| IAS | Lavinström | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 80 | W | |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ | |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=-4,5V, ID=-15A | --- | 6.8 | 9,0 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-10A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Total grindladdning (-4,5V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 13 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=-10V , VGS=-4,5V , RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 77 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 520 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 445 | --- |
