WSF6012 N&P-kanal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WSF6012

BVDSS:60V/-60V

RDSON:28mΩ/75mΩ

ID:20A/-15A

Kanal:N&P-kanal

Paket:TO-252-4L

Produkt sommar:WSF6012 MOSFET har ett spänningsområde på 60V och -60V, kan hantera strömmar upp till 20A och -15A, har ett motstånd på 28mΩ och 75mΩ, har både N&P-kanal och är förpackad i TO-252-4L.

Applikationer:E-cigaretter, trådlösa laddare, motorer, strömbackuper, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, elektronik, apparater och konsumentvaror.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSF6012 MOSFET är en högpresterande enhet med en design med hög celldensitet.Den ger utmärkt RDSON- och grindladdning lämplig för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare.Dessutom uppfyller den RoHS- och gröna produktkrav och kommer med 100 % EAS-garanti för full funktionalitet och tillförlitlighet.

Funktioner

Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, superlåg portladdning, utmärkt cdV/dt-effektminskning, 100 % EAS-garanti och miljövänliga enhetsalternativ.

Ansökningar

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, nödströmförsörjning, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, digitala enheter, små hushållsapparater, och hemelektronik.

motsvarande materialnummer

AOS AOD603A,

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Betyg		Enheter
Symbol	Parameter	N-kanal	P-kanal	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	60	-60	V
VGS	Gate-Source Spänning	±20	±20	V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	20	-15	A
ID@TC=70℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Pulserad dräneringsström2	46	-36	A
EAS	Enkelpuls lavinenergi3	200	180	mJ
IAS	Lavinström	59	-50	A
PD@TC=25℃	Total effektförlust4	34,7	34,7	W
TSTG	Förvaringstemperatur	-55 till 150	-55 till 150	℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150	-55 till 150	℃

Symbol	Parameter	Betingelser	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	60	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=1mA	---	0,063	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=10V, ID=8A	---	28	37	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=4,5V, ID=5A	---	37	45	mΩ
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =250uA	1	---	2.5	V
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,24	---	mV/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=5V, ID=8A	---	21	---	S
Rg	Portmotstånd	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	Total grindladdning (4,5V)	VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A	---	12.6	20	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	3.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	6.3	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=30V , VGS=4,5V , RG=3,3Ω, ID=lA	---	8	---	ns
Tr	Stigtid		---	14.2	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	24.6	---
Tf	Höst tid		---	4.6	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	670	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	70	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	35	---