WSF6012 N&P-kanal 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSF6012 MOSFET är en högpresterande enhet med en design med hög celldensitet. Den ger utmärkt RDSON- och grindladdning lämplig för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare. Dessutom uppfyller den RoHS- och gröna produktkrav och kommer med 100 % EAS-garanti för full funktionalitet och tillförlitlighet.
Drag
Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, superlåg portladdning, utmärkt cdV/dt-effektminskning, 100 % EAS-garanti och miljövänliga enhetsalternativ.
Ansökningar
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigaretter, trådlös laddning, motorer, nödströmförsörjning, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, digitala enheter, små hushållsapparater, och hemelektronik.
motsvarande materialnummer
AOS AOD603A,
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | |
| N-kanal | P-kanal | |||
| VDS | Drain-Source Spänning | 60 | -60 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Lavinström | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 34,7 | 34,7 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | -5,24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Total grindladdning (4,5V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 6.3 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=30V , VGS=4,5V , RG=3,3Ω, ID=lA | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 14.2 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 70 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 35 | --- |
