WSF4022 Dual N-Channel 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSF4022 är den högsta prestanda diket Dual N-Ch MOSFET med extrem hög celldensitet, som ger utmärkt RDSON och grindladdning för de flesta applikationer för synkrona buck-omvandlare. WSF4022 uppfyller RoHS- och gröna produktkraven 100 % EAS garanterad med full funktion tillförlitlighet godkänd.
Drag
För fläktförare H-bro, motorstyrning, synkron likriktning, e-cigaretter, trådlös laddning, motorer, nödströmförsörjning, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik.
Ansökningar
För fläktförare H-bro, motorstyrning, synkron likriktning, e-cigaretter, trådlös laddning, motorer, nödströmförsörjning, drönare, sjukvård, billaddare, kontroller, digitala produkter, små hushållsapparater, hemelektronik.
motsvarande materialnummer
AOS
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | |
| VDS | Drain-Source Spänning | 40 | V | |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V | |
| ID | Dräneringsström (kontinuerlig) *AC | TC=25°C | 20* | A |
| ID | Dräneringsström (kontinuerlig) *AC | TC=100°C | 20* | A |
| ID | Dräneringsström (kontinuerlig) *AC | TA=25°C | 12.2 | A |
| ID | Dräneringsström (kontinuerlig) *AC | TA=70°C | 10.2 | A |
| IDMa | Pulserad dräneringsström | TC=25°C | 80* | A |
| EASb | Enkelpuls lavinenergi | L=0,5mH | 25 | mJ |
| IAS b | Lavinström | L=0,5mH | 17.8 | A |
| PD | Maximal effektförlust | TC=25°C | 39,4 | W |
| PD | Maximal effektförlust | TC=100°C | 19.7 | W |
| PD | Kraftförlust | TA=25°C | 6.4 | W |
| PD | Kraftförlust | TA=70°C | 4.2 | W |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | 175 | ℃ | |
| TSTG | Driftstemperatur/ Förvaringstemperatur | -55~175 | ℃ | |
| RÖJA b | Termiskt motstånd Junction-Ambient | Steady State c | 60 | ℃/W |
| RÖJC | Termiskt motstånd koppling till fodral | 3.8 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| Statisk | ||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | Zero Gate Spänning Drain Current | VDS = 32V, VGS = 0V | 1 | µA | ||
| IDSS | Zero Gate Spänning Drain Current | VDS = 32V, VGS = 0V, TJ=85°C | 30 | µA | ||
| IGSS | Gate Läckström | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(på) d | Drain-Source On-State Resistance | VGS = 10V, ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4,5V, ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| Gate Chargee | ||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | Gate-Source Charge | 3.24 | nC | |||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 2,75 | nC | |||
| Dynamik | ||||||
| Ciss | Ingångskapacitans | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
| Coss | Utgångskapacitans | 95 | pF | |||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | 60 | pF | |||
| td (på) | Startfördröjningstid | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
| tr | Slå på stigtid | 6.9 | ns | |||
| td(av) | Avstängningsfördröjningstid | 22.4 | ns | |||
| tf | Stäng av hösttid | 4.8 | ns | |||
| Diod | ||||||
| VSDd | Diod framåtspänning | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
| trr | Ingångskapacitans | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
| Qrr | Utgångskapacitans | 8.7 | nC | |||
