WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Artikelnummer:WSD80120DN56

BVDS:85V

ID:120A

RDSON:3,7 mΩ

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

WINSOK MOSFET produktöversikt

Spänningen på WSD80120DN56 MOSFET är 85V, strömmen är 120A, resistansen är 3,7mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET applikationsområden

Medicinsk spänning MOSFET, fotoutrustning MOSFET, drönare MOSFET, industriell kontroll MOSFET, 5G MOSFET, fordonselektronik MOSFET.

WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.

MOSFET-parametrar

Symbol

Parameter

Betyg

Enheter

VDS

Drain-Source Spänning

85

V

VGS

Gate-Source Spänning

±25

V

ID@TC=25

Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V

120

A

ID@TC=100

Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V

96

A

IDM

Pulserad dräneringsström..TC=25°C

384

A

EAS

Lavinenergi, Enkelpuls, L=0,5mH

320

mJ

IAS

Lavinström, Enkelpuls, L=0,5mH

180

A

PD@TC=25

Total effektförlust

104

W

PD@TC=100

Total effektförlust

53

W

TSTG

Förvaringstemperatur

-55 till 175

TJ

Driftövergångstemperaturområde

175

 

Symbol

Parameter

Betingelser

Min.

Typ.

Max.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA 85

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperatur koefficient Hänvisning till 25, jagD=1mA

---

0,096

---

V/

RDS(ON)

Statisk avloppskälla på-motstånd VGS=10V,ID=50A

---

3.7

4.8

mΩ

VGS(th)

Grindtröskelspänning VGS=VDS, jagD=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatur koefficient

---

-5,5

---

mV/

IDSS

Dräneringskälla Läckström VDS=85V, VGS=0V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=85V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Läckström VGS=±25V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Rg

Portmotstånd VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.2

---

Ω

Qg

Total grindladdning (10V) VDS=50V, VGS=10V, ID=10A

---

54

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

17

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

11

---

Td(på)

Fördröjningstid för start VDD=50V, VGS=10V,

RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A.

---

21

---

ns

Tr

Stigtid

---

18

---

Td(av)

Avstängningsfördröjning

---

36

---

Tf

Höst tid

---

10

---

Ciss

Ingångskapacitans VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz

---

3750

---

pF

Coss

Utgångskapacitans

---

395

---

Crss

Omvänd överföringskapacitans

---

180

---


  • Tidigare:
  • Nästa:

  • Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss