WSD80120DN56 N-kanal 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen på WSD80120DN56 MOSFET är 85V, strömmen är 120A, motståndet är 3,7mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
Medicinsk spänning MOSFET, fotoutrustning MOSFET, drönare MOSFET, industriell kontroll MOSFET, 5G MOSFET, fordonselektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
MOSFET-parametrar
Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
VDS | Drain-Source Spänning | 85 | V |
VGS | Gate-Source Spänning | ±25 | V |
ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V | 120 | A |
ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V | 96 | A |
IDM | Pulserad dräneringsström..TC=25°C | 384 | A |
EAS | Lavinenergi, Enkelpuls, L=0,5mH | 320 | mJ |
IAS | Lavinström, Enkelpuls, L=0,5mH | 180 | A |
PD@TC=25℃ | Total effektförlust | 104 | W |
PD@TC=100℃ | Total effektförlust | 53 | W |
TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 175 | ℃ |
TJ | Driftövergångstemperaturområde | 175 | ℃ |
Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 85 | --- | --- | V |
△BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoefficient | Hänvisning till 25℃, jagD=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd | VGS=10V,ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, jagD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoefficient | --- | -5,5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | Total grindladdning (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=10A | --- | 54 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 17 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11 | --- | ||
Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=50V, VGS=10V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
Tr | Uppgångstid | --- | 18 | --- | ||
Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 36 | --- | ||
Tf | Hösttid | --- | 10 | --- | ||
Ciss | Ingångskapacitans | VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
Coss | Utgångskapacitans | --- | 395 | --- | ||
Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 180 | --- |