WSD6040DN56 N-kanal 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen på WSD6040DN56 MOSFET är 60V, strömmen är 36A, resistansen är 14mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
E-cigaretter MOSFET, trådlös laddning MOSFET, motorer MOSFET, drönare MOSFET, sjukvård MOSFET, billaddare MOSFET, styrenheter MOSFET, digitala produkter MOSFET, små hushållsapparater MOSFET, konsumentelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
MOSFET-parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter | ||
| VDS | Drain-Source Spänning | 60 | V | ||
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V | ||
| ID | Kontinuerlig dräneringsström | TC=25°C | 36 | A | |
| TC=100°C | 22 | ||||
| ID | Kontinuerlig dräneringsström | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Pulserad dräneringsström | TC=25°C | 140 | A | |
| PD | Maximal effektförlust | TC=25°C | 37,8 | W | |
| TC=100°C | 15.1 | ||||
| PD | Maximal effektförlust | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1,33 | ||||
| IAS c | Lavinström, enkel puls | L=0,5mH | 16 | A | |
| EASc | Enkelpuls lavinenergi | L=0,5mH | 64 | mJ | |
| IS | Diod kontinuerlig framåtström | TC=25°C | 18 | A | |
| TJ | Maximal korsningstemperatur | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Termisk motståndskoppling mot omgivningen | Steady State | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Termiskt motstånd - koppling till fodral | Steady State | 3.3 | ℃/W | |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet | |
| Statisk | |||||||
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Zero Gate Spänning Drain Current | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Gate Läckström | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Om egenskaper | |||||||
| VGS(TH) | Grindtröskelspänning | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS(på)d | Drain-Source On-State Resistance | VGS = 10V, ID = 25A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5V, ID = 20A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Växlande | |||||||
| Qg | Total Gate Charge | VDS=30V VGS=10V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Gate-Sour Charge | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Gate-Drain Charge | 9.6 | nC | ||||
| td (på) | Startfördröjningstid | VGEN=10V VDD=30V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Slå på stigtid | 9 | ns | ||||
| td(av) | Avstängningsfördröjningstid | 58 | ns | ||||
| tf | Stäng av hösttid | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat motstånd | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dynamisk | |||||||
| Ciss | I Kapacitans | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Ut Kapacitans | 140 | pF | ||||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | 100 | pF | ||||
| Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings | |||||||
| IS | Kontinuerlig källström | VG=VD=0V , Force Current | 18 | A | |||
| ISM | Pulserad källa Ström3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Diod framåtspänning | ISD = 20A, VGS=0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Omvänd återhämtningstid | ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Omvänd återställningsavgift | 33 | nC | ||||
