WSD45N10GDN56 N-kanal 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen för WSD45N10GDN56 MOSFET är 100V, strömmen är 45A, resistansen är 14,5mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
E-cigaretter MOSFET, trådlös laddning MOSFET, motorer MOSFET, drönare MOSFET, sjukvård MOSFET, billaddare MOSFET, styrenheter MOSFET, digitala produkter MOSFET, små hushållsapparater MOSFET, konsumentelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.
MOSFET-parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 100 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Pulserad dräneringsström | 130 | A |
| EASb | Enkelpuls lavinenergi | 169 | mJ |
| IASb | Lavinström | 26 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust | 95 | W |
| PD@TA=25℃ | Total effektförlust | 5.0 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Hänvisning till 25℃, jagD=1mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
| RDS(ON)d | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, jagD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoefficient | --- | -5 | mV/℃ | ||
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | Total grindladdning (10V) | VDS=50V, VGS=10V, ID=26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | Gate-Source Charge | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td(på)e | Fördröjningstid för start | VDD=30V, VGEN=10V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Q | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Uppgångstid | --- | 9 | 17 | ||
| Td(av)e | Avstängningsfördröjning | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | Hösttid | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | Ingångskapacitans | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | Utgångskapacitans | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | Omvänd överföringskapacitans | --- | 42 | --- |
