WSD4076DN56 N-kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produkter

WSD4076DN56 N-kanal 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Artikelnummer:WSD4076DN56

BVDS:40V

ID:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Kanal:N-kanal

Paket:DFN5X6-8


Produktdetalj

Ansökan

Produkttaggar

WINSOK MOSFET produktöversikt

Spänningen på WSD4076DN56 MOSFET är 40V, strömmen är 76A, resistansen är 6,9mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET applikationsområden

Små apparater MOSFET, handhållna apparater MOSFET, motorer MOSFET.

WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG, STL64DN4F7AG, STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Halvledare MOSFET PDC496X.

MOSFET-parametrar

Symbol

Parameter

Betyg

Enheter

VDS

Drain-Source Spänning

40

V

VGS

Gate-Source Spänning

±20

V

ID@TC=25

Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V

76

A

ID@TC=100

Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V

33

A

IDM

Pulserad dräneringsströma

125

A

EAS

Enkelpuls lavinenergib

31

mJ

IAS

Lavinström

31

A

PD@Ta=25

Total effektförlust

1.7

W

TSTG

Förvaringstemperatur

-55 till 150

TJ

Driftövergångstemperaturområde

-55 till 150

 

Symbol

Parameter

Betingelser

Min.

Typ.

Max.

Enhet

BVDSS

Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=250uA

40

---

---

V

BVDS/△TJ

BVDSSTemperatur koefficient Hänvisning till 25, jagD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Statisk avloppskälla på-motstånd2 VGS=10V, ID=12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ON)

Statisk avloppskälla på-motstånd2 VGS=4,5V , ID=10A

---

10

15

VGS(th)

Grindtröskelspänning VGS=VDS, jagD=250uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)Temperatur koefficient

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Dräneringskälla Läckström VDS=32V, VGS=0V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32V, VGS=0V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Gate-Source Läckström VGS=±20V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Framåttranskonduktans VDS=5V, ID=20A

---

18

---

S

Rg

Portmotstånd VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Total grindladdning (10V) VDS=20V, VGS=4,5V, ID=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Gate-Source Charge

---

3.0

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

1.2

---

Td(på)

Fördröjningstid för start VDD=15V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, jagD=1A.

---

12

---

ns

Tr

Stigtid

---

5.6

---

Td(av)

Avstängningsfördröjning

---

20

---

Tf

Höst tid

---

11

---

Ciss

Ingångskapacitans VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Utgångskapacitans

---

185

---

Crss

Omvänd överföringskapacitans

---

38

---


  • Tidigare:
  • Nästa:

  • Skriv ditt meddelande här och skicka det till oss