WSD40200DN56G N-kanal 40V 180A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen på WSD40120DN56G MOSFET är 40V, strömmen är 120A, resistansen är 1,4mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
E-cigaretter MOSFET, trådlös laddning MOSFET, drönare MOSFET, sjukvård MOSFET, billaddare MOSFET, styrenheter MOSFET, digitala produkter MOSFET, små hushållsapparater MOSFET, konsumentelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Halvledare MOSFET PDC496X.
MOSFET-parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V1 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V1 | 82 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 400 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 400 | mJ |
| IAS | Lavinström | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 125 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoefficient | Hänvisning till 25℃, jagD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, jagD=250uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoefficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 53 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Total grindladdning (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 18.5 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=15V, VGEN=10V, RG=3,3Ω, jagD=20A,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 9 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 58,5 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 32 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 1119 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 82 | --- |
