WSD4018DN22 P-kanal -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen för WSD4018DN22 MOSFET är -40V, strömmen är -18A, resistansen är 26mΩ, kanalen är P-kanal och paketet är DFN2X2-6L.
WINSOK MOSFET applikationsområden
Avancerad hög celldensitet Trench-teknologi, Super Low Gate Charge, Utmärkt Cdv/dt effektminskning Grön enhet tillgänglig, ansiktsigenkänningsutrustning MOSFET, e-cigarett MOSFET, små hushållsapparater MOSFET, billaddare MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON2409,POTENS MOSFET PDB3909L
MOSFET-parametrar
Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
VDS | Drain-Source Spänning | -40 | V |
VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
ID@Tc=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ -10V1 | -18 | A |
ID@Tc=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
IDM | 300μS pulsad dräneringsström, VGS= -4,5V2 | 54 | A |
PD@Tc=25℃ | Total effektförlust3 | 19 | W |
TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
Elektriska egenskaper (TJ=25 ℃, om inget annat anges)
Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID= -250uA | -40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25℃, ID= -1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=-10V, ID= -8,0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
VGS=-4,5V, ID= -6,0A | --- | 31 | 42 | |||
VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, jagD= -250uA | -1,0 | -1,5 | -3,0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoefficient | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=-40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | Total grindladdning (-4,5V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID= -1,5A | --- | 27 | --- | nC |
Qgs | Gate-Source Charge | --- | 2.5 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 6.7 | --- | ||
Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=-20V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
Tr | Uppgångstid | --- | 11 | --- | ||
Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 54 | --- | ||
Tf | Hösttid | --- | 7.1 | --- | ||
Ciss | Ingångskapacitans | VDS=-20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
Coss | Utgångskapacitans | --- | 116 | --- | ||
Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 97 | --- |