WSD40120DN56 N-kanal 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen på WSD40120DN56 MOSFET är 40V, strömmen är 120A, motståndet är 1,85mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
E-cigaretter MOSFET, trådlös laddning MOSFET, drönare MOSFET, sjukvård MOSFET, billaddare MOSFET, styrenheter MOSFET, digitala produkter MOSFET, små hushållsapparater MOSFET, konsumentelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET.PH481 MOSFET.PH48J MOSFET.PH48J. 544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Halvledare MOSFET PDC496X.
MOSFET-parametrar
| Symbol | Parameter | Betyg | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 400 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 240 | mJ |
| IAS | Lavinström | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 104 | W |
| TSTG | Förvaringstemperatur | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Betingelser | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperatur koefficient | Hänvisning till 25℃, jagD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=4,5V , ID=20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, jagD=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperatur koefficient | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Total grindladdning (10V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=30V, VGEN=10V, RG=1Ω, jagD=1A,RL=15Q. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Stigtid | --- | 10 | 12 | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Höst tid | --- | 34 | 40 | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 690 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 370 | --- |
