WSD30150DN56 N-kanal 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen på WSD30150DN56 MOSFET är 30V, strömmen är 150A, motståndet är 1,8mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
E-cigaretter MOSFET, trådlös laddning MOSFET, drönare MOSFET, sjukvård MOSFET, billaddare MOSFET, styrenheter MOSFET, digitala produkter MOSFET, små hushållsapparater MOSFET, konsumentelektronik MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.
POTENS Halvledare MOSFET PDC392X.
MOSFET-parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 30 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 200 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 125 | mJ |
| IAS | Lavinström | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 62,5 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDS/△TJ | BVDSSTemperaturkoefficient | Hänvisning till 25℃, jagD=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, jagD=250uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Temperaturkoefficient | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Total grindladdning (4,5V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω, jagD=1A, RL=15Q. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 12 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | 260 | 320 | 420 |
