WSD30140DN56 N-kanal 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSD30140DN56 är den högsta prestanda trench N-kanal MOSFET med mycket hög celldensitet som ger utmärkt RDSON och grindladdning för de flesta synkrona buck-omvandlarapplikationer. WSD30140DN56 uppfyller RoHS och gröna produktkrav, 100 % EAS-garanti, full funktionssäkerhet godkänd.
Drag
Avancerad trench-teknik med hög celldensitet, ultralåg grindladdning, utmärkt cdV/dt-effektdämpning, 100 % EAS-garanti, gröna enheter tillgängliga
Ansökningar
Högfrekvent belastningssynkronisering, buck-omvandlare, nätverksanslutna DC-DC-kraftsystem, elverktygsapplikationer, elektroniska cigaretter, trådlös laddning, drönare, medicinsk vård, billaddning, kontroller, digitala produkter, små apparater, hemelektronik
motsvarande materialnummer
AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. PÅ NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 30 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1,7 | 85 | A |
| ID@TC=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ 10V1,7 | 65 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 300 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 50 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=15A | 2.5 | 3.3 | ||||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 1.2 | 1.7 | 2.5 | V |
| Dräneringskälla Läckström | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA | |
| IDSS | VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | ||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=5V, ID=20A | --- | 90 | --- | S |
| Qg | Total grindladdning (4,5V) | VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. | --- | 11 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 6 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 38,5 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3000 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 1280 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 160 | --- |
