WSD20L120DN56 P-kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

kort beskrivning:

Modellnummer:WSD20L120DN56

BVDSS:-20V

RDSON:2,1 mΩ

ID:-120A

Kanal:P-kanal

Paket:DFN5*6-8

Produkt sommar:MOSFET WSD20L120DN56 arbetar vid -20 volt och drar en ström på -120 ampere. Den har ett motstånd på 2,1 milliohm, en P-kanal, och kommer i ett DFN5*6-8-paket.

Applikationer:E-cigaretter, trådlösa laddare, motorer, drönare, medicinsk utrustning, billaddare, kontroller, digitala enheter, små apparater och hemelektronik.

Skicka e-post till oss PDF

Produktdetaljer

Ansökan

Produkttaggar

Allmän beskrivning

WSD20L120DN56 är en topppresterande P-Ch MOSFET med en högdensitetscellstruktur, vilket ger suverän RDSON- och grindladdning för de flesta användningar av synkrona buck-omvandlare. WSD20L120DN56 uppfyller 100 % EAS-krav för RoHS och miljövänliga produkter, med fullfunktionstillförlitlighetsgodkännande.

Drag

1, Avancerad trench-teknik med hög celldensitet
2, Superlåg grindladdning
3, Utmärkt CdV/dt effektnedgång
4, 100 % EAS Guaranteed 5, grön enhet tillgänglig

Ansökningar

High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter för MB/NB/UMPC/VGA, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarett, Trådlös laddare, Motorer, Drönare, Medicinsk, Billaddare, Controller, Digitala produkter, Små hushållsapparater, hemelektronik.

motsvarande materialnummer

AOS AON6411,NIKO PK5A7BA

Viktiga parametrar

Symbol	Parameter	Gradering		Enheter
Symbol	Parameter	10s	Steady State	Enheter
VDS	Drain-Source Spänning	-20		V
VGS	Gate-Source Spänning	±10		V
ID@TC=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-120		A
ID@TC=100℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-69,5		A
ID@TA=25℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-25	-22	A
ID@TA=70℃	Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1	-24	-18	A
IDM	Pulserad dräneringsström2	-340		A
EAS	Enkelpuls lavinenergi3	300		mJ
IAS	Lavinström	-36		A
PD@TC=25℃	Total effektförlust4	130		W
PD@TA=25℃	Total effektförlust4	6.8	6,25	W
TSTG	Förvaringstemperaturintervall	-55 till 150		℃
TJ	Driftövergångstemperaturområde	-55 till 150		℃

Symbol	Parameter	Villkor	Min.	Typ.	Max.	Enhet
BVDS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS temperaturkoefficient	Referens till 25 ℃, ID=-1mA	---	-0,0212	---	V/℃
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2	VGS=-4,5V, ID=-20A	---	2.1	2.7	mΩ
RDS(ON)	Statisk avloppskälla på-motstånd2					mΩ
		VGS=-2,5V, ID=-20A	---	2.8	3.7
VGS(th)	Grindtröskelspänning	VGS=VDS, ID =-250uA	-0,4	-0,6	-1,0	V
		VGS=VDS, ID =-250uA
△VGS(th)	VGS(th) temperaturkoefficient		---	4.8	---	mV/℃
IDSS	Dräneringskälla Läckström	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Dräneringskälla Läckström					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-6
IGSS	Gate-Source Läckström	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Framåttranskonduktans	VDS=-5V, ID=-20A	---	100	---	S
Rg	Portmotstånd	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2	5	Ω
Qg	Total grindladdning (-4,5V)	VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A	---	100	---	nC
Qgs	Gate-Source Charge		---	21	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	32	---
Td(på)	Fördröjningstid för start	VDD=-10V , VGEN=-4,5V , RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω	---	20	---	ns
Tr	Uppgångstid		---	50	---
Td(av)	Avstängningsfördröjning		---	100	---
Tf	Hösttid		---	40	---
Ciss	Ingångskapacitans	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	4950	---	pF
Coss	Utgångskapacitans		---	380	---
Crss	Omvänd överföringskapacitans		---	290	---