WSD20L120DN56 P-kanal -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
Allmän beskrivning
WSD20L120DN56 är en topppresterande P-Ch MOSFET med en högdensitetscellstruktur, vilket ger enastående RDSON- och grindladdning för de flesta användningar av synkrona buck-omvandlare.WSD20L120DN56 uppfyller 100 % EAS-krav för RoHS och miljövänliga produkter, med fullfunktionstillförlitlighetsgodkännande.
Funktioner
1, Avancerad trench-teknik med hög celldensitet
2, Superlåg grindladdning
3, Utmärkt CdV/dt effektnedgång
4, 100 % EAS Guaranteed 5, grön enhet tillgänglig
Ansökningar
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter för MB/NB/UMPC/VGA, Nätverk DC-DC Power System, Load Switch, E-cigarett, Trådlös laddare, Motorer, Drönare, Medicinsk, Billaddare, Controller, Digitala produkter, Små hushållsapparater, hemelektronik.
motsvarande materialnummer
AOS AON6411,NIKO PK5A7BA
Viktiga parametrar
| Symbol | Parameter | Betyg | Enheter | |
| 10s | Stabilt läge | |||
| VDS | Drain-Source Spänning | -20 | V | |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±10 | V | |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -120 | A | |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -69,5 | A | |
| ID@TA=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
| ID@TA=70℃ | Kontinuerlig dräneringsström, VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | -340 | A | |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 300 | mJ | |
| IAS | Lavinström | -36 | A | |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 130 | W | |
| PD@TA=25℃ | Total effektförlust4 | 6.8 | 6,25 | W |
| TSTG | Förvaringstemperatur | -55 till 150 | ℃ | |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ | |
| Symbol | Parameter | Betingelser | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS temperaturkoefficient | Referens till 25 ℃, ID=-1mA | --- | -0,0212 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =-250uA | -0,4 | -0,6 | -1,0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) temperaturkoefficient | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Framåttranskonduktans | VDS=-5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
| Qg | Total grindladdning (-4,5V) | VDS=-10V, VGS=-4,5V, ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 21 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 32 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=-10V , VGEN=-4,5V , RG=3Ω ID=-1A,RL=0,5Ω | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Stigtid | --- | 50 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 100 | --- | ||
| Tf | Höst tid | --- | 40 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4950 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 380 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 290 | --- |
