WSD20100DN56 N-kanal 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen på WSD20100DN56 MOSFET är 20V, strömmen är 90A, resistansen är 1,6mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
Elektroniska cigaretter MOSFET, drönare MOSFET, elektriska verktyg MOSFET, fascia pistoler MOSFET, PD MOSFET, små hushållsapparater MOSFET.
WINSOK MOSFET motsvarar andra märkes materialnummer
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Halvledare MOSFET PDC394X.
MOSFET-parametrar
| Symbol | Parameter | Gradering | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 20 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Kontinuerlig dräneringsström1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Kontinuerlig dräneringsström1 | 48 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström2 | 270 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi3 | 80 | mJ |
| IAS | Lavinström | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Total effektförlust4 | 83 | W |
| TSTG | Förvaringstemperaturintervall | -55 till 150 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 150 | ℃ |
| RθJA | Termiskt motstånd Junction-omgivning1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Termiskt motstånd Junction-omgivning1(Stady State) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Termiskt motstånd Junction-väska1 | 1.5 | ℃/W |
| Symbol | Parameter | Villkor | Min | Typ | Max | Enhet |
| BVDS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, ID =250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Portmotstånd | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Total grindladdning (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 14 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=15V , VGS=10V , RG=3 , ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Uppgångstid | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 56,4 | --- | ||
| Tf | Hösttid | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 321 | --- | ||
| IS | Kontinuerlig källström1,5 | VG=VD=0V , kraftström | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Diod framåtspänning2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Omvänd återhämtningstid | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Omvänd återställningsavgift | --- | 72 | --- | nC |
