WSD100N15DN56G N-kanal 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET produktöversikt
Spänningen för WSD100N15DN56G MOSFET är 150V, strömmen är 100A, motståndet är 6mΩ, kanalen är N-kanal och paketet är DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET applikationsområden
Medicinska strömförsörjningar MOSFET, PDs MOSFET, drönare MOSFET, elektroniska cigaretter MOSFET, större apparater MOSFET och motorverktyg MOSFET.
MOSFET-parametrar
| Symbol | Parameter | Betyg | Enheter |
| VDS | Drain-Source Spänning | 150 | V |
| VGS | Gate-Source Spänning | ±20 | V |
| ID | Kontinuerlig dräneringsström, VGS@ 10V(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | Pulserad dräneringsström | 360 | A |
| EAS | Enkelpuls lavinenergi | 400 | mJ |
| PD | Total effektförlust...C=25℃) | 160 | W |
| RÖJA | Termiskt motstånd, junction-ambient | 62 | ℃/W |
| RÖJC | Termiskt motstånd, kopplingshus | 0,78 | ℃/W |
| TSTG | Förvaringstemperatur | -55 till 175 | ℃ |
| TJ | Driftövergångstemperaturområde | -55 till 175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Betingelser | Min. | Typ. | Max. | Enhet |
| BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 150 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Statisk avloppskälla på-motstånd2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(th) | Grindtröskelspänning | VGS=VDS, jagD=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | Dräneringskälla Läckström | VDS=100V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Gate-Source Läckström | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | Total Gate Charge | VDS=50V, VGS=10V, ID=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source Charge | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 18 | --- | ||
| Td(på) | Fördröjningstid för start | VDD=50V,VGS=10V RG=2Ω, ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | Stigtid | --- | 98 | --- | ||
| Td(av) | Avstängningsfördröjning | --- | 55 | --- | ||
| Tf | Höst tid | --- | 20 | --- | ||
| Ciss | Ingångskapacitans | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| Coss | Utgångskapacitans | --- | 1730 | --- | ||
| Crss | Omvänd överföringskapacitans | --- | 195 | --- |
