Det finns två typer av MOSFET:er, N-kanal och P-kanal. I kraftsystem,MOSFETskan betraktas som elektriska strömbrytare. Omkopplaren för en N-kanals MOSFET leder när en positiv spänning läggs till mellan grinden och källan. Under ledning kan ström flyta genom omkopplaren från avloppet till källan. Det finns ett internt motstånd mellan avloppet och källan som kallas on-resistance RDS(ON).
MOSFET som en grundläggande komponent i det elektriska systemet, Guanhua Weiye berätta hur man gör rätt val enligt parametrarna?
I. Kanalval
Det första steget för att välja rätt enhet för din design är att avgöra om en N-kanal eller P-kanal MOSFET ska användas. i krafttillämpningar är en MOSFET jordad och lasten ansluten till trunkspänningen när MOSFET bildar en lågspänningssidobrytare. N-kanals MOSFET:er bör användas i lågspänningssidoväxling på grund av hänsyn till den spänning som krävs för att stänga av eller slå på enheten. Högspänningssidoväxling bör användas när MOSFET är ansluten till bussen och lastjordanslutningen.
II. Välja spänning och ström
Ju högre märkspänning, desto högre kostnad för enheten. Enligt praktisk erfarenhet bör märkspänningen vara större än trunkspänningen eller bussspänningen. Först då kan det ge tillräckligt skydd mot MOSFET-fel. När du väljer en MOSFET måste den maximala spänningen från drain till source bestämmas.
I kontinuerligt ledningsläge ärMOSFETär i ett stabilt tillstånd när ström passerar kontinuerligt genom enheten. Pulsspikar är när det finns stora överspänningar (eller toppströmmar) som flyter genom enheten. När den maximala strömmen har bestämts under dessa förhållanden, välj bara den enhet som tål den maximala strömmen.
För det tredje, ledningsförlust
Eftersom på-motståndet varierar med temperaturen kommer effektförlusten att variera proportionellt. För bärbar design är användningen av lägre spänning vanligare, medan för industriell design kan högre spänning användas.
Systemets termiska krav
När det gäller krav på systemkylning påminner Crown Worldwide om att det finns två olika scenarier som måste beaktas, det värsta fallet och den verkliga situationen. Använd den värsta beräkningen eftersom detta resultat ger en större säkerhetsmarginal och kan garantera att systemet inte kommer att gå sönder.
DeMOSFETersätter gradvis trioden i integrerade kretsar på grund av dess låga strömförbrukning, stabila prestanda och strålningsmotstånd. Men det är fortfarande väldigt känsligt, och även om de flesta redan har inbyggda skyddsdioder kan de skadas om man inte är försiktig. Därför är det bäst att behöva vara försiktig i applikationen också.
Posttid: 2024-apr-27
